单晶硅企业标准标准介绍.doc

0前 言 本标准修改采用了Ibis Technology《美国Ibis公司硅单晶产品样本》，其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。 编写格式按GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准结构和编写》标准修订。本标准于XXX首次发布。 硅 单 晶 1 范围 本标准规定了硅单晶的产品术语、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉法制备的硅单晶。产品主要用于制作太阳能电池及其组件。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定 直流二探针法 GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140 （所有部分）硅片直径测量方法 GB/T14143 300μm-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 Ibis Technology 美国Ibis公司硅单晶产品样本 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3.1 径向电阻率变化 晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻率剃度。 3.2 杂质条纹 晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期行的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期性变化。在晶体的横截面上，该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻率局部变化。择优腐蚀后，在放大1500倍下观察，条纹是连续的。 3.3 重掺杂 半导体材料中掺入的杂质量较多，杂质浓度大于1018cm-3为重掺杂。 4 产品的分类 4.1 分类 硅单晶按导电类型分为N型和P型两种类型。 4.2 规格 滚圆后的直径分为φ150mm、φ200mm、φ210mm三种规格。 5 技术要求 5.1 直径及其允许误差符合表1规定。 表1 硅单晶的直径及其允许偏差 mm 滚圆前 单晶 直 径 以双方合同为准 允许偏差 以双方合同为准 滚圆后 单晶 直 径 150 200 210 允许偏差 ±0.3 ±0.3 ±0.3 5.2 电阻率 5.2.1 电阻率范围和径向电阻率变化符合表2规定。 表2 电阻率范围及其径向电阻率变化 导电类型 掺杂元素 电阻率范围 （Ω·cm） 径向电阻率变化（%） 150mm 200mm 210mm P B 0.1-60 ≤5 ≤5 ≤5 注： 1、所有电阻率范围的数值是在硅单晶断面使用四探针测量的数值。 2、径向电阻率变化是规定端面或硅片上使用直排四探针测定的数值。 按照公式 RV=（ρa-ρc）/ρa×100%计算，其中： ρc—硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。 ρa—硅片半径中点或距边缘6mm处，以90°间隔的四点处测得的电阻率的平均值。 3、此表数值对应的硅单晶晶向均为100。 5.3 晶向 5.3.1 硅单晶晶向为100或111晶向。 5.3.2 硅单晶晶向偏离度不大于2°。 5.4 硅单晶的少数载流子寿命 5.4.1 P型硅单晶的少数载流子寿命应≥15μs。 5.4.2 如客户有特殊要求，按照合同指标执行。 5.5 氧含量 5.5.1 硅单晶的间隙氧含量应小于9.5×1017atoms/cm3。具体指标按照合同规定执行。 5.5.2 重掺杂硅单晶的氧含量由供需双方商订。 5.6 碳含量 硅单晶的碳含量应小于5×1016atoms/cm3。 5.7 晶体完整性 5.7.1 硅单晶的位错密度应不大于100个/cm3，即无位错。 5.7.2 硅单晶应无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。 5.7.3 电阻率小于0.02Ω·cm的重掺杂硅单晶允许观察到杂质条纹。 5.7.4 硅单晶的旋涡缺陷或微缺陷