9-10学时：第4章BJT的基本工作原理和基本共射放大电路.ppt

* (1) 结构特点： 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 (a) 发射 (b) 复合和扩散 InC （c）收集 外部条件： 发射结正偏， 集电结反偏。 放大状态下BJT中载流子的传输过程 电流分配关系 IC= InC+ ICBO IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 InC ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 RL e c b 1k? 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 VEE VCC VEB IB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?iE = -1 mA， ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = ? = 0.98 时， ?iC? RL =- 0.98 V + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 μA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 4. 放大作用 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时， 1. 输入特性曲线 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 （以共射极放大电路为例） 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 1. 输入特性曲线 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC基本平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 3、PNP型三极管 NPN型 PNP型 三极管实现放大作用的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏 VBE0, VBC0 VBE0, VBC0 VBE VCE VBE VCE + + + + 实际方向 规定方向 -VCE/V -VBE 例：测量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 4.1.4 BJT的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 4.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 当输出特性的恒流性较好，且各条曲线间间距相等的情况下， 和?值近似相等。 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当输出特性的恒流性较好时，且各条曲线间间距相等的情况下， ≈? 4.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO