纳米硅薄膜太阳能电池的制备和性能研究.pdfVIP

中 文 摘 要 目前人类面临的环境污染和能源危机越来越严峻，开发可再生的 清洁能源迫在眉睫。太阳能作为绿色能源，取之不尽，又无污染，是 人类实现可持续发展的重要途径。到2010 年，全球的太阳能电池发 电总量已达到4GW ，每年的增幅更是达到了30% 。目前较为普及的 晶体硅太阳能电池存在成本较高，原材料消耗较大的问题，而非晶硅 又存在光致衰减，其他化合物太阳能电池对环境有污染。氢化纳米硅 薄膜太阳能电池由于避免了前者的缺点，越来越被人们所重视。 氢化纳米硅(nc-Si:H)是一种硅纳米晶粒镶嵌在(a-Si:H) 网络里的 硅纳米材料。纳米尺寸效应使其拥有优异的光敏性、光电特性、高电 导率、高光吸收系数和高光学带隙，其光电导在光照条件下衰减较小。 量子尺寸效应使纳米硅薄膜的光学带隙与薄膜的晶态比和晶粒大小 具有一定的变化规律。其优异的特性可用于制备氢化纳米硅(nc-Si:H) 薄膜太阳能电池。 氢化纳米硅(nc-Si:H)/单晶硅(c-Si)异质结太阳能电池既发挥了晶 体硅高迁移率的优势，又利用了低温的薄膜沉积工艺，同时，电池的 制备工艺简单，拥有实现制备低成本、高效率太阳能电池的发展前景。 本论文主要研究内容如下： 1、利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备掺磷(nc-Si:H)薄 膜，分析射频功率、硅烷浓度、衬底温度以及掺杂浓度对(nc-Si:H)薄 膜的晶态比、晶粒大小、电导率和光学带隙的影响。通过调整工艺， 优化了掺磷(nc-Si:H)薄膜的微结构和性能，为制备HIT 异质结太阳能 电池和p-i-n 太阳能电池做好了铺垫。 2 、介绍了nc-Si:H(N)/a-Si:H(I)/c-Si(P)异质结薄膜(HIT)太阳能电 池的原理，制备过程；研究了N 层掺杂浓度、厚度对HIT 太阳能电 池性能的影响；研究了有无本征层以及本征层的厚度对电池的影响； 研究了Al O 钝化层对电池性能的影响。 2 3 关键词: 氢化纳米硅薄膜; 异质结太阳能电池; 等离子增强沉积 I ABSTRACT At present , human beings are facing with severe environmental pollution and energy cri ses. Developing clean and renewable energy resources is imminent . As an inexhaustibility and sanitary energy, solar energy provides a promising prospect on the coming development way. By 2010 , the total power generated by the solar cell in the whole world has reached 4GW ; the growth rate almost reached 30% every year. Nowadays, the most popular solar cell is silicon based on solar cells, such as crystalline silicon solar cell and amorphous silicon solar cell. However, the crystalline silicon solar cell is expensive, and the amorphous silicon solar cell ha s the problem of light attenuation . And other compound thin film solar cell