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BF245C,112;BF245A,112;BF245B,112;BF245B,126;BF245A,126;中文规格书,Datasheet资料
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF245A; BF245B; BF245C
N-channel silicon field-effect
transistors
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
/
NXP Semiconductors Product specification
BF245A; BF245B;
N-channel silicon field-effect transistors
BF245C
FEATURES PINNING
Interchangeability of drain and source connections PIN SYMBOL DESCRIPTION
Frequencies up to 700 MHz. 1 d drain
2 s source
APPLICATIONS 3 g gate
LF, HF and DC amplifiers.
DESCRIPTION
1
General purpose N-channel symmetrical junction handbook, halfpage2
3 d
field-effect transistors in a plastic TO-92 variant package. g
s
CAUTION MAM257
The device is supplied in an antistatic package. The
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