14-5晶体管.ppt

三. 特性曲线 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： (3) 饱和区 1. 电流放大系数 、 四. 主要参数 2. 集-基极反向截止电流 ICBO 4. 集电极最大允许电流 ICM 作业： P32 —— 15-6 P32 —— 15-8 P32 —— 15-9 半导体二极管和三极管 § 14-5. 晶体管 半导体三极管(晶体管)是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。 一. 基本结构 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而又有NPN和PNP两类晶体管。 其三层分别称为发射区、基区和集电区，并引出发射极(E)、基极(B)和集电极(C)三个电极。三层之间的两个PN结分别称为发射结和集电结。 本节介绍晶体管的结构、特性及参数的内容。 N型硅 P型 N型 二氧化硅保护膜 C B E N型锗 铟球 铟球 P型 P型 C E B 平面型结构 合金型结构 N N P 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 E B C N P P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 E B C B E C B E C 二. 电流分配和放大原理 NPN型和PNP型晶体管的工作原理相似，本章只讨论前者。 如图，对NPN型晶体管加EB和EC两个电源，接成共发射极接法构成两个回路。 通过实验及测量结果，得： (1). (2). IC(或IE)比IB大得多，(如表中第三、四列数据) 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE(mA) 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB(mA) (4). 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。 这就是晶体管的电流放大作用，IB的微小变化可以引起IC的较大变化(第三列与第四列的电流增量比)。 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE(mA) 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB(mA) (3). 当IB=0(基极开路)时，也很小(约为1微安以下)。 1、发射区向基区扩散电子 电流放大作用原理 —— 内部载流子运动规律 发射结处于正向偏置，掺杂浓度较高的发射区向基区进行多子扩散。 放大作用的内部条件： 基区很薄且掺杂浓度很低。 2、电子在基区的扩散和复合 基区厚度很小，电子在基区继续向集电结扩散。（但有少部分与空穴复合而形成IBE ? IB） 3、集电区收集扩散电子 集电结为反向偏置使内电场增强，对从基区扩散进入集电结的电子具有加速作用而把电子收集到集电区，形成集电极电流(ICE ? IC)。 由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值为 它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数。 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 最常用的是共发射极接法的输入特性曲线和输出特性曲线，实验测绘是得到特性曲线的方法之一。特性曲线的测量电路见右图。 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB 用晶体管特性图示仪也可直接测量及显示晶体管的各个特性曲线。 输入特性曲线当UCE为常数时的IB与UBE之间的关系曲线。(参见右图) 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V 3DG6的输入特性曲线 对硅管来说，当 UCE ?1V时，集电结已处于反向偏置，发射结正向偏置所形成电流的绝大部分将形成集电极电流，但IB与UBE的关系依然与PN结的正向类似。(当UCE更小， IB才会明显增加) 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压不超过0.2V。 放