GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r GaN 蓝光二极管杂质发光 的近场光谱研究 凌　勇　周赫田　朱　星　黄贵松　党小忠　张国义 (北京大学物理系　人工微结构与介观物理国家重点实验室　北京　100871) 摘要　 运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压M OCVD 方法外延生长的 GaN 蓝光 二极管的杂质发光光谱. 研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱 信息, 为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段. 对近场光谱中各发光峰的强度随 ( ) 注入电流 电压 变化曲线的研究结果揭示出 GaN 蓝光二极管的能带中的施主能级, 在 GaN 蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用. : 6116 , 0765, 8115 , 7860 PACC P H 1　引言 近年来, GaN 作为一种宽带隙的 族半导体材料, 已引起了人们广泛的关注, 对 [ 1, 2 ] GaN 材料的吸收和荧光光谱的研究工作已有大量报道 . 作为宽带隙半导体发光材料, 人 们最感兴趣的是利用 GaN 研制波长范围在紫外光、蓝光和蓝绿光的短波长的电致发光器 件. 在电致发光 GaN 系统双异质结构的高亮度蓝光发光二极管(L ED ) 的基础上, 最近制备 [ 2 ] 出的单量子阱结构的蓝光L ED 的发光强度已达到2cd . 然而到目前为止对 GaN 这种高缺 陷密度材料的发光微观机理的研究还处于探索阶段, 对 GaN 发光光谱的研究主要集中在宏 观的荧光光谱. 由于受到衍射极限的限制, 通常的光学仪器无法分辨开两个间隔在二分之一 波长内的发光点, 因而不能对纳米微区不同发光点的光谱进行研究. 扫描近场光学显微镜 ( ) 采用了非辐射场探测原理, 将孔径小于入射光波长 的 SNOM 探针置于样品表面小于 的近场内扫描成象, 而使得其光学分辨率突破了常规的衍射极限, 通常情况下它的形貌和光学分辨率可以达到波长的十分之一[ 3, 4 ] , 并可以对样品的纳米尺度 [ 5 ] 微区光谱进行研究 . 而运用 SNOM 研究 GaN 薄膜光致发光的报道尚不多. 本文报道我们 利用近场光谱技术在近场范围内, 对在蓝宝石衬底上用低压M OCVD 异质外延生长制备的 ( ) 　 国家自然科学基金资助项目 凌　勇　男, 1964 年出生, 博士后, 现从事近场光谱研究