磊晶晶粒前段晶粒後段.PPT

LED上游製程說明 LED演進 LED，發光二極體(LightEmitting Diode)的簡稱，也被稱作發光二極管。是一種半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等；隨著白光發光二極體的出現，也被用作照明。它是21世紀的新型光源，具有效率高，壽命長，不易破損的優點。 1955年，美國無線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓·布朗石泰（Rubin Braunstein）生首次發現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放射作用。 1962年，通用電氣公司的尼克·何倫亞克（Nick Holonyak Jr.）開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。 1993年，當時在日本日亞化工（Nichia Corporation）工作的中村修二（Shuji Nakamura）發明了基於寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化鎵（InGaN）的具有商業應用價值的藍光LED。 1996年由Nichia Corporation開發出製作白光LED的方法，在藍光LED(near-UV,波長450 nm 至470 nm)上覆蓋一層淡黃色螢光粉塗層，並從開始用在生產白光LED上。 LED演進 兩大應用：背光 照明 LED產業簡介 LED產業簡介 LED上游廠製程說明 磊晶製程說明 MO ? MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) ? 一般指磊晶機台 EPI ? Epitaxy ? 磊晶片(外延片) LED材質與發光範圍 磊晶製程說明 磊晶製程說明 藍綠光 (GaN)- 藍寶石(sapphire)基板 四元 (AlGaInP) – GaAs 基板 Cassette 磊晶製程說明 PL (光激光量測儀器) ? WLP avg, WLP std, HW avg EL (電激光量測儀器) ? WLP avg, IV/PO avg, VF avg PR (反射率量測儀器) ? PRA, PRR WLP (Peak Wave Length) (峰波長) WLD (Dominant Wave Length) (主波長) HW (Spectrum Line Half Width) (半高寬) IV (Luminous Intensity) (亮度單位) PO (Radiant? Power) (亮度單位) VF (Forward Voltage) (順向工作電壓) PRA (PR average) PRR (PR range) CP% ? IV WLD透過公式計算所得的值，用以介定磊晶亮度等級 磊晶製程說明 系統片號與雷射刻號必須正確對應 圈別：若磊晶機台有不同圈別，各項參數monitor會by 圈別做區分 驗證流程 說明：由同一磊晶run中挑選數片EPI wafer投入驗證工單(晶粒前段製程)，前段製程結束後將WAT資料回饋給未投驗證的其他姐妹片 作用：由於晶粒前段製程為一不可逆的過程，當已使用某一產品品號(chip size)投入晶粒製程後，該片wafer就無法改為其他chip size的產品。磊晶入庫時為了得到較確切的製程預估資料，可由驗證片的WAT資料推估姐妹片投入至晶粒前段製程後的光電特性結果，此一結果將會是生管投片的依據 驗證品號：通常會使用大宗晶粒產品作為驗證品號 晶粒製程說明 定義：將磊晶片(Epitaxy wafer)加工成晶粒(Chip)之流程。 依作業流程可分為： 前段製程(Chip on wafer；厚片)：黃光、蝕刻、蒸鍍、合金 後段製程(Bare chip；裸晶)：研磨、切割、點測、分類、PI 晶粒製程說明 – 前段 前段製程說明 黃光作業 使用光罩於曝光後在晶片上產生一顆顆晶粒圖形，如照像及洗照片 流程為上光阻?曝光?顯影 薄膜(蒸鍍、沈積)及乾蝕刻(ICP) 乾蝕刻：ICP乾式蝕刻機：將P極以乾蝕刻方式去除 蒸鍍：電子束蒸鍍機: 以電子束加熱方式將氧化物或金屬蒸鍍到晶片上 沈積： PECVD :電漿輔助化學氣相沉積以氣體方式反應生成SiO2 等保護層薄膜 溼蝕刻作業(Bench) 晶片清潔 (Wafer Clean) 濕蝕刻 (Wet Etching) 將wafer置入一裝有化學溶液的蝕刻槽中進行。目的就是將沒有被光阻覆蓋及保護的部份，以化學反應的方式來進行侵蝕 浮離 (lift-off) 「浮離」就是在晶片上貼藍膜，讓藍膜把鍍在光阻上的金屬黏住而離開晶片表面。所以沒光阻的地方就會留下蒸鍍後的金屬。 前段量測說明 片電阻量測 穿透率量測 ICP深度量測 PR厚度量測 SiO2厚度量測 Rpp Rnn阻抗量測 推拉力測試 Life test (壽測) – 以長時間的通電檢驗chip的光電特性變化趨勢 晶粒製程說明