综合实验之微电子学.DOC

综合实验(微电子学) 《硅平面器件制作及性能表征》 教学指导书 陈炳若 戴锋 2005.12 《硅平面器件制作及性能表征》教学大纲 一．实验目的 微电子技术的进步，给社会和经济的发展注入了巨大的活力。微电子学是一门实践性很强的学科，本实验目的是：经过《电子材料》、《半导体物理》、《半导体器件原理》、《半导体集成电路》、《微电子技术实践》等课程的学习，学生在具备一定专业理论的基础上，通过相关的实验课程，对以硅平面工艺为代表的半导体器件的制作过程以及材料、器件的性能及表征方法有比较全面的了解，并在实验过程中训练基本的实验技能，培养分析和解决问题的能力。 二．实验要求 硅PN结是双极器件的基本单元，PN结的制作过程基本能反映硅平面器件的全部核心工艺，双极晶体管和集成电路都是由PN结衍生出来的。另外，考虑到课程学时数的限制，拟选取硅PN结光电二极管和太阳电池的制作为硅平面器件制作的实验对象，要求学生： 了解并掌握硅PN结光电二极管和太阳电池的材料参数与器件特性的关系、器件制作的工艺流程及工艺条件的设计，完成硅PN结光电二极管和太阳电池的制作； 了解并掌握相关的硅材料及器件的性能参数及表征方法； 认真完成实验报告，并进行成品率考核，培养学生的责任感和成就感。 三．实验大纲 《硅平面器件制作及性能表征》由两大部分组成，一是硅平面器件的制作，二是材料与器件性能表征，各36 学时，完成的全部内容共需72学时。但考虑到器件制作过程中工艺监控所需要的基本实验技能，硅平面器件制作中必须加做几个性能表征实验，共需54学时，学生可根据实验课程学时数的安排，选作部分或全部。 硅平面器件制作(54学时)，具体要完成： 选用不同衬底材料，制作PN结光电二极管和太阳电池 硅材料参数的设计 2学时 制作工艺参数的设计 2学时 硅平面工艺的全部前道工序 30学时 硅平面工艺的辅助工艺 2学时 并加做以下实验三、四、五和九。 材料与器件性能表征（36 学时），具体要完成： 实验一. 双极型晶体管特性的测量与分析 4学时 实验二. 场效应晶体管特性的测量与分析 4学时 实验三. 硅光电器件管芯特性的测量与分析 4学时 实验四. 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量 4学时 实验五. 硅光电池光照特性的测量与分析 4学时 实验六. 功率晶体管热参数的测量 4学时 实验七. 硅光电器件光谱响应特性的测量 4学时 实验八. 单晶体的激光定向及材料缺陷的显示与观察 4学时 实验九. 用椭偏仪测量透明介质薄膜的厚度和折射率 4学时 四.教材与参考书 教 材：[1]半导体实验教程（第1版）天津大学出版社，郑云光，1989年。 [2]光敏感器件及其应用（第1版）科学出版社，齐丕智, 1987年。 参考书：[1] 半导体专业实验，讲义，鄢和平 陈伟秀，1984年。 [2] 半导体器件工艺原理（第1版），人民教育出版社，厦门大学，1977年。 五.考核方式 实验报告、动手能力的课堂考核。 第一部分 硅平面器件制作(54学时) 实验要求 PN结是结型器件的核心，PN结的制作几乎包括了硅平面器件的所有基本工艺过程，综合考虑本教学实习基地的工作基础、学时数及教学实习基地承受能力的限制，本实验要求完成： 1. 完成硅PN结光电二极管(PD)的工艺条件设计与制作的前道工序； 2. 完成单晶硅太阳能电池(PV)的工艺条件设计与制作的前道工序； 3. 学习并完成与制作工艺相关的监控测试和PD、PV芯片性能的测试； 相关实验包括: 用椭偏仪测量二氧化硅层厚度和折射率、硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量、导电类型的判断、硅光敏器件管芯特性的测量与分析、硅光电池光照特性的测量与分析。 4． 以科研小论文形式完成实验报告，实验报告要求包括详细的工艺流程、工艺条件及工艺条件的设计（依据）、实验结果（含成品率）、问题与分析。 目 录 工艺流程 基本工艺原理 光电器件的基础理论 一. 工艺流程 p—n结光电二极管和太阳电池的核心都是一个p—n结，其制作的主要工艺流程如下： 1．硅光电二极管： N型、（111）面硅衬底材料 [测