聚焦电子束系统-国家实验研究院.DOCVIP

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『聚焦電子束系統』 招標規範書 目設備明細 投標廠商注意事項 檢驗與測試 保固教育訓練 規範書釋疑聯絡人  聚焦電子束系統 目的 本招標規格書適用於下述聚焦電子束系統之設計、製造、運輸及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。 設備明細 本系統為多用途奈米噴印定義圖形應用，其需求規格要能具備次世代電子束的影像品質、離子束操作和符合8”-12”吋晶片線的系統設計，須包含以下系統： 電子光學系統 (Electro Optics) 離子光學系統 (Ion Optics) 真空與氣體噴射系統 8/12吋相容樣品載台與移動平台 TEM樣品取出系統 EDS與STEM偵檢器 16-bit 圖形掃描引擎SEMI-standard 300mm notch校正晶圓(Mapping wafer) 符合設備規範之設備基座1組 符合設備規範之主動式電磁防護系統1組 本設備所需之所有廠務設施配管施作，包含水、電、氣與真空等。施作設施必須符合本實驗室之新購設備機台之通用版－廠務系統二次配管工程規範，參考附件一。 各系統規格內容如下 電子光學系統 浸潤式磁場光學系統(Immersion lens) 蕭特基熱場發射源(Schottky thermal field emitter)，壽命大於1年 可調整加速電壓(350V-30kV) 無段式可調整電子束電流 0-2nA 二次電子(SE)與in-lens背向電子(BSE)偵檢器 一般模式與浸潤模式切換偏移量10μm【驗收項目1】 1kV時， 解析度1.nm。與加速電壓15kV 時， 解析度1.0nm【驗收項目1】 離子光學系統 液態鎵離子發射源，壽命大於1000小時Liquid Metal Ion Source, GA69或同級品) 可調整加速電壓(500V-30kV) 15段式可調整子束電流 (1.5pA-2nA) 二次離子與二次電子偵檢器(CDEM) 離子束電子束共焦點(coincidence point) 5μm【驗收項目2】 解析度量測30kV 5nm【驗收項目2】 真空與氣體噴射系統 無油式幫浦系統 (oil-free)Edwards XDS35i或同級品) 廠商須提供鉑、碳二種氣體沉積源，並有能控制噴射的氣體控制系統 電子腔體真空度(Electron column vacuum pressure) 必需於抽氣開始12小時內達到≦x10-7 mbar【驗收項目3】30 m3/h) 離子腔體真空度(Ion column vacuum pressure) 必需於抽氣開始12小時內達到≦5x10-9 mbar【驗收項目3】30 m3/h) 樣品腔體必需於分鐘內達到10-6 mbar等級，即為樣品載入時間(loading time) ≦ mins【驗收項目3】 氣體沉積能力：15 nm孤立奈米線，40 nm線距密集線【驗收項目3】 蝕刻能力20 nm接觸洞，20 nm孤立溝槽，且深寬比＞2【驗收項目3】 8/12吋相容樣品載台與移動平台 8/12吋 半導體晶圓樣品載台 5軸驅動 (x-y-z-rotate-tilt)壓電控制移動平台 xy軸移動範圍0mm~+150mm範圍，z軸移動範圍8mm，tilt範圍-15~+55度 平台移動準確性：遠距離移動準確性2.5μm，近距離移動準確性0.5μm【驗收項目4】 遠距共焦測試準確性(global coincidence point)5μm【驗收項目4】 系統定位漂移(system drift)≦15nm/min【驗收項目4】 自動化TEM樣品取出系統 軟體自動切割TEM樣品，可切割厚度100nm，精準度30nm【驗收項目5】 機械探針定位至切割位置，In-situ拾取TEM樣品至grid，探針定位漂移1μm【驗收項目5】 EDS與STEM偵檢器 LN2-free) EDS偵檢器INCA Energy 350 System, X-mas detector或同級品)，主動區尺寸 mm2【驗收項目6】 Mn Kα 解析度129 eV【驗收項目6】 可回縮式STEM 偵檢器，bright field)、暗視野(dark field)與高角度暗視野(high-angle dark field)模式 STEM偵檢器解析能力0.8 nm【驗收項目6】 16-bit 圖形掃描引擎 數位rastering scan 最大解析度 64Kx64K 最大圖形尺寸 8M pixels Dwell)時間範圍 25ns~25ms/pixel 多重圖形格式支援 (向量圖檔 gds、矩陣圖檔 bmp等等) 可變式dwell時間 整合氣體噴射系統，自動化圖型辨認對準定義能力【驗收項目7】對準能力40 nm【驗收項目7】 投標廠商