衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究-光子学报.PDF

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2017-06-25 发布于天津
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衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究-光子学报

27 2 Vo1.27 No.2 19982 ACTA PHOTONICA SINICA February 1998 杨李茗虞淑环许乔舒晓武杨国光 (, 310027) 本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明: 应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率蚀刻过程各向异性好蚀刻参数控制灵活等特点, 对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响,并在红外材料上制作了Da ann 分束光栅应离子束蚀刻; 衍射光学元件;蚀刻工艺 0 1 , 2~ 8 RIE( Reactive Ion Etching) : 1356MHz , ,, ,, , , ,, ,, , , , , RIBE(Reactive Ion Bea Etching) ,Da ann 1 RIBE 9~ 11 RIBE , ,1, ,, RIBE , RIBE , , RIBE ; , RIBE : ; , , , LF- RIBE ,2 2 : 1) :(01~ 1) A/c ;: 2%/h; 2) 国家高技术航天863 资助项目收稿日期: 1997- 06- 23 27 148 1 2 Fig. 1 Sche aticrepresentation of RIBE technology Fig. 2 Sche atic diagra of RIBE syst : 150 ; : 5%,2%; 3) , 80 ;4) 4 , 2 ( ER ) , , 01 / in 12 , : 25 ER = 96 10 J b Y ( E , ) cos( ) / n ( 01n / in) n ; Y ( E , ) : ; J b RIBE ,, , RIBE , , , RIBE 21 , (0 1 ZnS ), , 2 04 05 06 08 (A/ c ) 1 ZnS ( ( 01n / in) 462 525 592 649 :Ar , 400eV, - 2 610 Pa) 22 , , , U0 , , Y ( E ) : 04~ 06 Y ( E ) =