超精细图案光刻技术的研究与发展-上海交通大学.PDFVIP

第4期 徽细加工技术 №4 2002年12月 MICRoFABRI【：ATIoNTECHNOLDGY Dec．2002 文章编号：1003—8213(2002)04—0001—06 超精细图案光刻技术的研究与发展 赵猛12，张亚非1，徐东1，王印月2 (I上海交通大学微纳米研究院，上海200030；2兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000) 摘要：根据国内外研究和发展现状，对有望突破lOOnm超精细图案光刻分辨率的一些 关键技术进行了阐述，其中包括曝光技术、俺模技术、光学系统改进和以离轴照明、相 位移掩模、；重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等。 关键词：超精细图案；光刻分辨率；曝光技术；掩模技术；光学系统；分辨率增强技术 申圈分类号：TN305—7文献标识码：A 1引言 近三十年来，光刻技术的进步对半导体 工业产生r极其重大的影响。晶片步进／扫 描机的分辨率已从1．25um减小到了目前的 130nm，晶片产量从10wph(100mm)增加到 了100 wph(200ram)左右，超大规模集成电 路(uLsI)集成度以每两年翻一翻的速度呈 图l光刻技术的发展趋势及列半导体工业的影响 指数式增加，使得处理器速度比过去增长了 1 000倍，同时伴随着每个晶体管的费用每 的实现．量子分离栅技术将获得很大发展，从 年降低约30％。u现有的0 而为未来纳米电子学的发展创造了条件。 25／xna光刻技术 可以生产256MDROM，使用0 18／m1技术 可制造1Gr)ROM，预期到2010年实际光刻 2超精细图案曝光技术 分辨率将达到70nm，那时将可制造64G DROM 1；按照摩尔法则的预期和半导体工 曝光手段的进步始终是推动光刻技术向 业发展趋势，如图J所示，在未来50年后器 前发展的首要因素。在投影式光刻系统中， 件的最小尺寸将接近硅原子的直径”1。而且 分辨率R(即最小尺寸)是数值孔径NA、曝 随着亚微米／次亚微米超精细结构光刻能力 光波长^、工艺因子女，的函数f”： 收稿日期：2002—07—04；修订日期：2002—08一12 作者简介：赵猛(1975一)，男，山东省高唐县人，硕士，从事半导体器件和纳米电子学专业方面的研究；张 亚非(1955一)，男，山东省淄博市人，特聘教授，长江学者，主要从事纳米器件与纳米电子学方面的研究；徐东 (1957)，女，卜海市人，高级工程师，主要从事微机电系统和功能薄膜材料方而的研究丁作。 万方数据 2 徽细加工技术 R=^l·A／NA (1) 可以看出，短波化和高数值孔径是提高光 以使写速度变得非常快‘9…。图3给出了对 刻分辨率的一种最直接的微细化方法，而且也 各种光刻技术分辨率的预期。 是保持k．在0．5附近以减小邻近效应和掩模 错误因素影响的主要措施，一直以来都成为各 种曝光技术发展的核心(如图2所示)。 另一方面，虽然已经可姒制造NA0．6 图2短波化曝光技术的发展 的光学透镜，但是根据焦深公式： DOF=±k，·^／(NA)。 (2) 目前，248nm的整套光刻技术已经成熟， 单纯短波化和高数值孔径必将带来焦深 可以生产1801m1和150 nrn线宽的器件；193 缩短等严重后果”“。因此，为平衡焦深和分 nm