软X射线干涉光刻分支线站(XIL)介绍-上海光源.PDFVIP

软X射线干涉光刻分支线站(XIL) ((b)) 介绍 科学目标科学目标 利用上海光源软X射线低发射度、高亮度和高相干性的优点，加工大面积的周 期性纳米结构期性纳米结构，满足先进器件研究满足先进器件研究、生物应用研究及工业应用领域的用户在生物应用研究及工业应用领域的用户在 纳米结构制备、组装方面的迫切需要，形成我国有特色的纳米加工技术平台， 为信息科学、材料科学、生命科学等重要研究领域的发展提供新的研究手段。 XIL分支线站各项指标测试结果 XIL分支线站光路示意图 1. 通过入射光阑和出射通过入射光阑和出射 狭缝的配合使用得到 优化光通量的空间全 相干光 2. 通过两块柱面镜的合 理布局来实现全对称 光斑 3. 通过两块柱面镜合理 分担热负载，截止高 次谐波 XILXIL实验原理实验原理 • 多光栅衍射光无色差干涉 • 干涉图案严格周期性 • 只需相干光 • 大焦深 • 大曝光面积 XIL分分支线线和实验实验站 远场衍射图案 光刻及后处理辅助实验室光刻及后处理辅助实验室 （（辅助辅助XILXIL实验实验）） 光刻相关设备光刻相关设备 后处理相关设备后处理相关设备 电子束光刻机，最小线宽小于10nm ICP刻蚀机 椭圆偏振仪 紫外光刻机 电子束蒸镀机电子束蒸镀机 等离子去胶机等离子去胶机 XIL方法学研究进展 光刻胶纳米图案光刻胶纳米图案 图形转移到氮化硅衬底图形转移到氮化硅衬底 100nm 100nm 周期的光栅结构期的光栅结构图案案 100nm周期的二维点阵图案 200nm周期的二维网格图案 在70nm 厚的PMMA A2 光刻胶上曝光，曝光面积0.4mm ×0.4mm  用于硬掩膜的铬点阵阵列 图形占空比的调整图形占空比的调整 占空比1:1 点尺寸50nm 占空比占空比11:33 点尺寸100nm 应用于高深宽比的 周期140nm 应用于量子点 周期200nm 图形转移 XILXIL技术应用技术应用-苏州大学孙旭辉课题组利用苏州大学孙旭辉课题组利用XILXIL制备大面积制备大面积 图案化纳米金属及半导体用于SERS检测 -5