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2．特点 ●对磁场强度在5～15kA/m范围内的变化不敏感,仅对磁场方向敏感; ●有效检测距离为25mm; ●在弱磁场下灵敏度非常高; ●工作温度范围宽,其标称阻值R0和ΔR具有优良的线性温度特性; ●体积小、功耗低。 3．典型技术参数 ●工作电源电流:7mA; ●工作温度范围:-40℃～+120℃; ●标称阻值:＞700Ω; ●在5～15kA/m范围内的灵敏度:≥4%; ●标称阻值温度系数TCR0：0.09～0.12%/℃; ●磁阻温度系数ＴＣΔR：-0.12～-0.09%／℃; ●磁滞（Ｈ＝10kA／m）：＜ 2度; ●磁阻效应温度系数ＴＣΔR／R0：-0.27～0.23%／℃； 4．应用 巨磁阻效应器件具有弱磁场下灵敏度高、对磁场强度方向变化非常敏感的特性，同时，巨磁阻效应器件又有优良的线性温度特性。因此，可根据实际需要，通过桥式或半桥式电路结构进行温度补偿，以满足巨磁阻传感器的性能要求。 二、特性新颖敏感元件 — Z元件 Z元件的发明是俄罗斯传感器专家V.D.Zotov教授与他的同事们在1983年从一起半导体PN结伏安特性实验出现奇怪的结果所引发的，这种元件也因此得名：Z元件。 Z元件是一种N区被重掺杂补偿的特种PN结结构,它通过负载电阻R按正向偏置接在直流电路中，负载电阻R用于限制工作电流并取出电压信号。 Z元件的发明人V.D.Zotov教授认为，“Z效应”微观机理的核心在于该PN结在一定电源电压下能产生一种“电流细丝”(Current filament)效应(或译成潺流效应)，并在外部激励下能产生一种所谓“细丝电流”(filament Current)冲击或细丝电流振荡。Z元件应用电路的工作原理为在外部激励下能产生“细丝电流”冲击或电流振荡的缘故。在下图1所示电路中，若在外部激励下产生细丝电流冲击，电路中产生工作电流突变，则负载电阻R上获得开关量输出。若外部激励产生细丝电流振荡，电路中产生振荡电流，则负载电阻R上获得脉冲输出；若外部激励没有达到产生细丝电流冲 Z元件原理示意图 击或细丝电流振荡的阈值，则负载电阻R上获得模拟量输出。 Z元件它的诱人之处就是无需前置放大器和A/D转换器，便可直接输出大幅值数字信号，且是无接触式测量，具有体积小，功耗低,抗噪能力强等优点。 3.2 气敏传感器 气敏传感器是用来测量气体的类别、浓皮和成分的传感器。由于气体种类繁多．性质各不相同，不可能用一种传感器检测所有类别的气体，因此，能实现气 — 电转换的传感器种类很多。按构成气敏传感器材料可分为半导体和非半导体两大类。目前实际使用最多的是半导体气敏传感器，早期所采用的电化学和光学等方法，由于使用不便已很少采用。 半导体气敏传感器按照半导体与气体的相互作用是在其表面、还是在内部，可分为表面控制型和体控制型两类；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型（电导控制型、金属氧化物半导体器件）和非电阻型（电压控制型、MOS器件）两种。电阻型半导体气敏元件是利用半导体接触气体时，其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气敏元件根据其对气体的吸附和反应，使其某些有关特性变化对气体进行直接或间接检测。 自从60年代研制成功SnO2(氧化锡)半导体气敏元件后，气敏元件进入了实用阶段。SnO2敏感材料是目前应用最多的一种气敏材料，它已广泛地应用于工矿企业、民用住宅、宾馆饭店等内部对可燃气体和有害气体的检测。 3.2.1 (半导体)电阻型气敏传感器 一、电阻型半导体气敏材料的导电机理 半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。 当半导体器件被加热到稳定状态，气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面自由扩散，失去运动能量。一部分被蒸发掉，另一部分残留分子产生热分解而吸附在吸附处。当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)，则吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。如果半导体的功函数小于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化含物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给性气体。 当氧化型气体吸附到N型半导体，还原型气体吸附到P型半导体上时，将使半导体的载流子减