光电检测器件介绍.ppt

噪声 工作频率f1kHz时，主要是1/f噪声； 当1kHzf1MHz时，为产生-复合噪声； 当f1MHz时，主要是热噪声。 负载上的电功率PL。 转化效率：负载电阻上的电功率与入射光功率之比。 最佳负载：当在负载电阻上获得最大功率输出是的电阻，记为RM。作为换能器件时，应考虑此点。 光电池伏安特性曲线 伏安特性曲线，可表示输出功率大小。 利用作图法可以获得最佳负载线和最大输出功率。 无光照时：热效应引起的微小暗电流；光照时：光生载流子产生电流。 不同波长的光在光敏二极管的不同区域被吸收。 光敏二极管一般在负偏压情况下使用。 光敏二极管特性参数 1.势垒区的厚度与电容 势垒区是光敏二极管的重要工作区。 2.光谱响应 （1）表面层中的反射与吸收； （2）材料的禁带宽度； （3）表面抗反射层的性质和厚度； （4）器件的结构。 光敏二极管特性参数 3.光照特性 光电流随反向电压变化较敏感。 4.频率响应响应 主要由载流子的渡越时间和RC时间常数决定； 5.温度特性 反向饱和电流对温度强烈依赖。 光敏二极管的类型 材料：硅、锗，化合物材料及其他材料 结构：PN结、P-i-N结、异质结、肖特基势垒型和点接触型等 光的响应：紫外、可见及红外等 济南大学物理科学与技术学院 * 光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光谱响应在可见到近红外区中，光电检测中应用多。 （1）点接触型：工艺较困难。 （2）扩散型PN结光敏二极管：耗尽层厚度比结的任何一边的扩散长度小，工作区是扩散区，光生电流主要是扩散流，频率响应特性差。 （3）耗尽层型光敏二极管：肖特基势垒二极管，势垒不是PN结，而是金属和半导体接触形成的阻挡层，耗尽层厚度比结的任何一边的扩散长度大，工作区是耗尽层，光生电流主要是漂移流，频率响应特性好。 济南大学物理科学与技术学院 * 扩散型P-i-N硅光敏二极管 选择一定厚度的i层，具有高速响应特性。 i层所起的作用: (1)i层是高阻区，在工作情况下承受着极大部分的外加电压，使耗尽区增大，展宽了光电转换的有效工作区域，提高了灵敏度； (2)为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。 (3)而i层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。 (4)反偏下，耗尽层较无i层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。 济南大学物理科学与技术学院 * PIN管的最大特点是： 频带宽，可达10GHz。 另一特点是线性输出范围宽。 缺点: 由于I层的存在，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 济南大学物理科学与技术学院 * 雪崩光敏二极管 由于存在因碰撞电离引起的内增益机理，雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。 通过一定的工艺可以使它在1.06微米波长处的量子效率达到30％，非常适于可见光及近红外区域的应用。 济南大学物理科学与技术学院 * 当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子—空穴对。 新的电子—空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动．在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子—空穴对。 只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。 济南大学物理科学与技术学院 * 雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线 济南大学物理科学与技术学院 * 在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如图中c点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。 济南大学物理科学与技术学院 * 雪崩光电二极管具有电流增益大（10~100），灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。 济南大学物理科学与技术学院 * 雪崩光电二极管与光电倍增管比较 体积小 结构紧凑 工作电压低 使用方便 但其暗电流比光电倍增管的暗电流大，相应的噪声也较大 故光电倍增管更适宜于弱光探测 济南大学