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第七章 半导体存储器 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字线数 x 位线数” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 可编程ROM（PROM） 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 字、位同时扩展： 适用于每片RAM,ROM字数和位数都不够用时 可先进行位扩展 再进行字扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 题[7-1] 若存储器容量为512KX8位，则地址代码应取几位？ 解：字线数为512K= 512X210＝219 故取19位地址代码 第七章习题 题[7-4] 试用4片4k×8位的RAM芯片 组成16k×8位的RAM存储器。 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 《数字电子技术基础》第五版 教学内容 §7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。 按存储功能分 只读存储器（ROM） 随机存储器（RAM） 按制造工艺分 双极性 MOS型 7.2 只读存储器（ROM) 优点：断电后数据不丢失，具有非易失性。 缺点：只适用于存储固定数据的场合。 Read Only Memory 特点：正常工作时只能读出。 只读存储器分类： 掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。 PROM：可编程，只能写一次。 EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程较慢，次数也不宜多。 E2PROM:电信号擦除，擦、写速度提高。如：IC卡 快闪存储器(Flash Memory)：编程可靠、快捷，集成度高。如：U盘 二、举例 A1,A0称为地址；W3~W0称为字线；d3~d0称为位线。 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 d0 d1 d2 d3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 熔丝断：存入0 写入时，要使用编程器 优点：擦写方便，可在线操作。 EEPROM应用：各种卡如：电话插卡、医保卡、手机卡… Flash单元 E2PROM单元 优点：存取速度快，容量大。 fLASH应用：U盘… 7.3 随机存储器（RAM) 优点：读、写方便,使用灵活。 缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。 Random Access Memory . . . 应用：计算机内存 基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控制电路构成。 9 六管N沟道增强型MOS管 G1 G2 7.4 存储容量的扩展 字线 位线 存储容量＝字线数×位线数 存储容量＝22×4＝4×4 地址输入端 数据输出端 例：用N片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM N= 目标存储器