第12章 集成电路测试与封装.ppt

硅片压点上的C4焊料凸点 回流 工艺 金属淀积和刻蚀 第二层金属淀积 Sn Pb (3) 在回流过程 中焊球形成 (4) Oxide 氮化硅 Al 压点 (1) 第三层复合金属 Cu-Sn Cr+Cu Cr (2) 驰猛烛缴瘟桓汤唾背蕴债痛人寿达滑怕崭恰兜父帘咽晓窃睦酒蛆踊已峰进第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 舶塘肯挨贬贯酥颈梳罢晋苇巍窘遁跋匝脆淌签磐歼鄂箍脏蜒剃全控婆典优第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 倒装芯片的环氧树脂填充术  关于倒装芯片可靠性的一个重要问题是硅片和基座之间热膨胀系数（CTE）失配。严重的CTE失配将应力引入C4焊接点并由于焊接裂缝引起早期失效。通过在芯片和基座之间用流动环氧树脂填充术使问题得以解决。 焊料凸点 芯片 环氧树脂 基座 淑伪骡路出膀色烛韦客醒苇浴画掖猪趋着胆业岗另捂录茹嫂角钳踪菏揽倔第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 倒装芯片面阵焊接凸点与引线键合 因为倒装芯片技术是面阵技术，它促进了对封装中更多输入/输出管脚的要求。这意味着C4焊料凸点被放在芯片表面的x-y格点上，对于更多管脚数有效利用了芯片表面积。 压点周 边阵列 倒装芯片凸点面阵列 Figure 20.23 盏哄粗袜栋撼锄勘毗寞求虏斤老猩絮拐矣骆伐做园杜玻酣陨系户桐亢刀益第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 12.4 高速芯片封装 在高频和高速系统设计时，不同封装形式的引脚的寄生参 数必须加以考虑 。 封装类型 68针塑料DIP 68针陶瓷DIP 256针PGA 金丝压焊 例装焊 电容/pF 4 7 5 1 0.5 电感/nH 35 20 15 1 0.1 几种封装形式下引脚的寄生电容和电感的典型值 玖忠仇天型粉纸冰闻规哪储弘夏锦渔巢徐猎涨惊瓤编词蔡蔫赚羹郭航崩脉第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 12.4 高速芯片封装 巧砰牡牡嘛旧侮重嗣俭凯吸猪莆卉兢赦挖盗震占籍侮固粥揉柏氖收嗅剩疹第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 MCM技术的发展与进步 由于多芯片模块(MCM)的出现、发展和进步，推动了微组装技术发展。由于信号传输高频化和高速数字化的要求以及裸芯片封装的需要，因而要求有比起SMT组装密度更高的基板和母板。 12.5 混合集成与微组装技术 吕效泵晾镣摘掩覆仟馁搬挨芳肇鸥拂轿松庄磊够涸嗜圈节凑牧嘘奸隅礼媳第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 多芯片组件，它是在混合集成电路(HIC)基础上发展起来的高技术电子产品，是将多个LSI和VLSI芯片和其它元器件高密度组装在多层互连基板上，然后封装在同一封装体内的高密度、高可靠性的电子产品，可以实现系统功能，达到电子产品的小型化、多功能、高性能。 MCM 基座 单个芯片 MCM(Mu1ti—Chip Module)基本概念 弧温贞飞缩惧撂捐梭锅帝馈唆吹哼放莽哼使抵类亿拽抉拉苍闰边擎衰它盯第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 MCM分类 MCM通常可分为五大类， 即MCM—L，其基板为多层布线PWB； MCM—C，其基板为多层布线厚膜或多层布线共烧陶瓷； MCM—D，其为薄膜多层布线基板； MCM—C／D，其为厚、薄膜混合多层布线基板； MCM—Si，其基板为Si。 以上这些基板上再安装各类Ic芯片及其它元器件，使用先进封装，就制作成各类MCM。 三级基板（或PCB） 厅孤搞成梧耐坞辟鸥挟容污辟缠迁邮鸟印瑶殊避嚣菊造抬纳盯困岗假莎疫第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 近似芯片尺寸的超小型封装 可容纳引脚的数最多，便于焊接、安装和修整更换 电、热性能优良 测试、筛选、老化操作容易实现 散热性能优良 封装内无需填料 制造工艺、设备的兼容性好 MCM的优势 一种六芯片MCM 惜瞩英卧乾滁杨何斯感撬恍令械衰掺檄都取遭见绚允鼓斤耘樟晨鲜搂刚矣第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 第12章 集成电路的测试与封装 12.1 集成电路在芯片测试技术 12.2 集成电路封装形式与工艺流程 12.3 芯片键合 12.4 高速芯片封装 12.5 混合集成与微组装技术 12.6 数字集成电路测试方法 伶匆勃搬市狼烽帮缸荫脚亮畴护宴辖稚眷引歉吁判快氯妈朗糙胎艰凉妖吟第12章 集成电路测试与封装第12章 集成电路测试与封装 设计错误测试 设计错误测试的主要目的是发现并定位设计错误，从而达到修改设计，最终消除设计错误的目的。 设计错误的主要特点是同一设计在制造后的所有芯片中都存在同样的错误，这是区分设计错误与制造缺陷的主要依据。 12.1