GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展.pdfVIP

维普资讯 寐专 没 anoelectronicDevice ＆ Technology GaAs基量子级联激光器材料 结构设计的进展 刘俊岐，．刘峰奇 ，车晓玲 ，黄秀颀 ，雷 文，王 占国 (中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083) 摘要 ：GaAs基量子级联激光器的出现 ，在器件 的设计制作和处理工艺上开辟 了有意义的前景 。 本文概述 了近年来 GaAs基量子级联激光器在波导核心层 、波导以及光学谐振腔方面设计的原 理 、进展 ，并介绍 了一些新颖的结构。 关键词 ：量子级联激光器；注入区；有源区；波导 ；谐振腔 中图分类号 ：TN243 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671-4776 (2004)08—00o6—08 Progresson thematerialstructuredesign of GaAs-based quantum cascadelasers LIU Jun—qi，LIU Feng—qi，CHE Xiao—ling，HUANG Xiu—qi，LEIWen，WANG Zhan—guo (KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScience，InstituteofSemcionductors， ChineseAcademyof Sceinces，Beijing100083，China) Abstract：The invention ofGaAs—basedquantum cascade lasersblazed away in thedesign inno— vationsatthe materialand device levels．Theprinciplesand developmentson GaAs—based quan— tum cascade lasers are discussed，including waveguide core，waveguide and opticalresonators． Somenovelstructuresare introduced． Keywords：quantum cascadelasers；injectionregion；activeregion；waveguide；resonators 接而成 ，实现 电子注入倍增光子输 出，每一级 由 1 引 言 注入 区、耦合 阱激光跃迁 区 (有源 区)和弛豫 区 量子级联激光器 … 是一种基于子带间电子跃 三部分构成 ，而每一级 的弛豫 区又是下一级 的注 迁 的中、远红外波段单极光源 。它将 “能带工程” 入 区。量子级联激光器与普通 的半导体注入激光 设计与高精度 的分子束外延 (MBE)材料生长技 器相 比具有 以下优点 ： (1)波长与所用材料 的带 术完美结合 。量子级联激光器中的激射 [2是利用 隙无直接关系而是 由导带 中的分立子能级 的相对 纳米级厚度 的半导体异质结薄层 内由量子限制效 位置确定 ，而这一相对位置 可以通过调整有源 区 应 引起的导带 中分立 电子态 ，在这些激发态之 间 量子阱的厚度得 以实现 ，理论上量子级联激光器 产生粒子数反转而产生的 。它 的有源 区 由多级 串 的波长可 以覆盖两个大气窗 口，并可 以向远红外 收稿 日期 ：2004—03—25 基金项 目：国家重点基础研究发展规划 (973)项 目 (02)；国家高技术研究发展计划 (863计划)项