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华中科技大学《模拟电子技术》课程——ch 4.1
4.1 半导体三极管
4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
4.1.4 BJT的主要参数
1
4.1.1 BJT的结构简介
(a) 小功率管 (b) 大功率管 (c) 中功率管
2 Lec 04-1 华中科技大学电信系 张林
4.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类
型：NPN型和PNP型。 集电极，用C或c
表示（Collector ）
集电区
发射区
发射极，用E或e
表示（Emitter ）
集电结(Jc)
基区
发射结(Je) 基极，用B或b
表示（Base ）
三极管符号
3 Lec 04-1 华中科技大学电信系 张林
4.1.1 BJT的结构简介
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高；
• 集电区掺杂浓度低于发
射区，且面积大；
• 基区很薄，一般在几个
微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。 管芯结构剖面示意图
4 Lec 04-1 华中科技大学电信系 张林
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过
载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏
各区域作用 发射区：发射载流子
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
5 Lec 04-1 华中科技大学电信系 张林
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
1. 内部载流子的传输过程 （以NPN为例）
N P N N P N
e c e c
IC
ICBO
R
c
b b
V
IB CC
iC
iD i = -i
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