pecvd-1201型全自动等离子体化学气相淀积台 - 西安工业大学.doc

全自动等离子体化学气相沉积装置技术规格 货物名称、数量 全自动等离子体化学气相沉积装置1套。 工作条件及用途 工作条件 能在电源电压380±10%V、50±2%Hz、室温0℃~40℃的环境下连续正常工作。 连续工作时间能力不应少于72小时，设备服役期限15年。 用途 采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅、石英等不同衬底材料上沉积二氧化硅、氮化硅、非晶硅等薄膜。 技术规格 卖方所提供的全自动等离子体化学气相沉积装置必须是技术先进，经济合理，成熟可靠的产品。 本条中带*技术指标为关键指标，不允许有超标。 3.1基本要求 本装置为全自动控制工作方式，可用于在光学玻璃、硅、石英等不同衬底材料上沉积二氧化硅、氮化硅、非晶硅等薄膜。 本装置主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频电源系统、自动控制系统、加热系统、冷却系统、0mm，可满足样品尺寸为φ300mm的镀制要求；气路系统由六台质量流量计控制流量，气体管路采用不锈钢硬管；等离子体发生器功率源采用RF1200W射频电源，带有自动匹配器，可实现自动化控制；所有设备要求为集装式。 真空室的观察窗不少于2个；备用在线监控接口不少于2个。 3.1.1最大样品尺寸： (300mm， *3.1.2膜厚均匀性(5%（(250mm内）； ≤(7%（(300mm内）； *3.1.3膜厚(3%； 3.1.4 样品台旋转：0-10rpm 3.1.5样品台升降：（匀流）板-基（片）距30-60mm 3.2真空系统 3.2.1真空室直径：≥φ450mm； 3.2.2极限真空度：≤ 9.0(10-5Pa *3.2.3恢复抽真空时间：从大气~4×10-3Pa小于10分钟；从大气到5×10-4Pa小于20分钟； *3.2.4真空测量装置范围：大气~1×10-5Pa 3.2.5系统漏率：停泵关机12小时后真空度Pa。 sccm；00sccm；N2-sccm；N2O -300sccm； C2F6-300sccm；O2-00sccm；00℃； 3.4.2控温精度：1%； 3.4.3温度漂移：≤2℃； 3.5射频电源 *3.5.1射频电源RF1000W及自动匹配器一套（建议选用美国AE公司产品，用户可提供免税手续）； 3.5.2有效功率稳定输出≥90% 3.5.3匹配稳定时间≤5秒； *3.6自动控制系统 3.6.1 自动控制系统一套，实现真空系统及工艺过程全自动化； 3.6.2具有全自动模式及非全自动模式多种选择方式； 3.6.3 自动控制软件一套。 *3.7安全报警系统 3.7.1具有水、电、气、真空等安全互锁功能； 3.7.2具有工艺参数偏差报警功能。 3.8其它特殊要求 3.8.1在真空室预留备用在线监控接口不少于2个； 3.8.2卖方应提供用于本装置配套的尾气处理系统，净化效果达到GB16297-1996排放标准； 3.8.3卖方应提供用于本装置配套的气柜和管阀，气体管路采用不锈钢硬管； 3.8.4卖方应提供易损、易耗件的加工配件说明和全部技术资料。 配置和选件 基本配置 设备主机应包括满足技术规格中第3条要求的真空系统、气路系统、射频电源系统、加热系统自动控制系统以及相关软件和满足成套性要求的其它装置等，所有装置要求为集装式。 附件及专用工具 卖方应提供必要的专用工具卖方应向买方提供需要更换的零部件的名称及预期的使用寿命，并提供安装、调整、运行和维护所需的最低限度备品备件。 卖方所提供的各种技术资料文件和图纸采用国际单位应满足买方对安装调试运行、维护的要求，如果买方认为所提供的技术资料不能满足要求时，买方有权提出补充要求，卖方应免费提供所需的补充技术资料。 3