2012半导体物理第三章-3+.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ? k＇- ? k=± ? q （4-22） E ＇-E =±?ωa （ 4-23） 上式表明，电子和晶格散射时，将吸收或发射一个声子（正号表吸收，负号表示发射）。 　散射角（散射前后电子波矢k与k＇夹角）为θ，如图所示，则按照矢量法则，得 　q2 =|k|2 + | k＇|2 -2 |k| | k＇|cos? （4-24） 　=（ | k＇| -|k|）2 +2 |k| | k＇|（1-cos ?） q k＇ k ? 电声散射关系 cos?= cos2 ?/2-sin2?/2 　　若散射前后，电子波矢的大小近似相等，即|k|≈|k′|，则 q2 ＝（ | k＇| -|k|）2 +2 |k| | k＇|（1-cos ?） cos?= cos2 ?/2-sin2?/2 q=2ksin（?/2）（4-25） 设散射前后电子速度大小均为?,声子速度为u 则?k=mn*? 对长声学波来说，?ωa = ?qu,因而散射前后电子能量变化为 ? E=E-E?=?ωa = ?qu =2mn* ?2（u/?）sin（?/2）（4-26） q=2ksin（?/2）（4-25） 　　对长声学波，声子速度u很小，因而u/?是一个小量，△E≈0，即散射前后电子能量基本不变，称为弹性散射。　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ? E=E-E?= 2mn* ?2（u/ ?）sin（?/2） 　　　　　　　　　　　　　　 对光学波，声子能量?ωa较大，散射前后中电子能量有较大的改变，称为非弹性散射。 ? E=E-E?= 2mn* ?2（u/ ?）sin（?/2） （2）声学波散射 　能带具有单一极值的半导体中起主要散射作用的是长波，即波长比原子间距大很多倍的格波。　　　　　 RT下，电子热运动速度约为105m╱s,由?k=mn*v可估计电子波波长约为λ=1╱k= ?╱mn*v≈10-8m。 　　　　 　电子和声子相互作用时，根据准动量守恒，声子动量应和电子动量具同数量级，即格波波长范围也应是10-8m。 晶体中原子间距数量级为10-10m，因而起主要散射作用的是长波（波长在几十个原子间距以上）。 　由图看到，长声学波频率和波数成正比，即ωa ∝ q，或ωa∝1/?，即： ?ωa =常数，这个常数就是波速，实际上长声学波就是弹性波--声波。 　在长声学波中，纵波在散射中起主要作用。 长纵声学波传播时和气体中的声波类似，会造成原子分布的疏密变化，产生体变，即疏处体积膨胀，密处压缩，如图（b）所示。 　在一个波长中，一半处于压缩状态，一半处于膨胀状态，体变表示原子间距的减小或增大。 　 显然，禁带宽度随原子间距变化，疏处禁带宽度减小，密处增大，使能带结构发生如图所示的波起伏。 禁宽改变反映出导带底Ec和价带顶Ev的升高或降低，引起能带极值的改变，改变了△EC或△Ev。 导致同时处于导带底或价带顶的电子或空穴，在半导体的不同地点，其能量就有差别。 所以纵波引起的能带起伏，对载流子作用，如同产生了一个附加势场△Eｃ、△Ev，附加势场破坏了原势场的严格周期性，使电子从k状态散射到k＇状态。? 　对具有单一极值、球形等能面的半导体，分析得到(引结论）对导带电子的散射概率Ps为 　 　ρ为晶格密度，u为纵弹性波波速；?c称为形变势常数，它表示单位体变所引起导带底的变化。 　即 　 　式中△EC是当晶格体积V0改变△V后引起的导带底的改变。 对价带空穴的散射，可得到类似的关系。 　因电子热运动速度与T1╱2成正比，所以由式（4-27）可以看到，声学波散射概率Ps与T3╱2成正比，即 　　Ps ? T3╱2 　　　　　　　（4-29） 　具多极值、旋转椭球等能面的锗、硅半导体，mn*应取为电子的状态密度有效质量，一般情况长纵声学波的散射概率也为式（4-27）。 　横声学波要引起一定的