全面理解非易失存储器(Flash,EPROM,EEPROM)教案.pdf

全面理解非易失存储器(Flash,EPROM,EEPROM) 作者：Jitu J.Makwana, Dr.Dieter K.Schroder 关键字：非易失，存储器，Flash，EPROM，EEPROM，热电子注入，隧道效应，可靠性，数 据保持，耐久力，干扰，闪存 前言 本文论述了基本非易失存储器（NVM）的基本概念。第一部分介绍了 NVM 的基本情况，包括 NVM 的背景以及常用的存储器术语。第二部分我将介绍怎样通过热电子注入实现 NVM 的编程。 第三部分包括了用 FOWLER-NORDHEIM 隧道效应实现对 NVM 的擦除。同时，简单的 FN 隧 道效应的原理也将在这里给大家做一个说明。第四部分介绍了用于预测 NVM 编程特性的模型— 热电子注入机制所依赖的“幸运电子”模型。最后一部分介绍了 NVM 可靠性方面的问题，如数据 保持能力（DATA RETENTION）,耐久力（ENDURANCE）,和干扰（DISTURB）。 第一部分： 介绍 存储器大致可分为两大类：易失和非易失。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的信息； 它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的随机存储器（RAM）都属于此类。非易失存储器 在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。一个非易失存储器（NVM）器件通常也是一个 MOS 管，拥有一个源极，一个漏极，一个门极另外还有一个浮栅（FLOATING GATE）。它的 构造和一般的 MOS 管略有不同：多了一个浮栅。浮栅被绝缘体隔绝于其他部分。 非易失存储器又可分为两类：浮栅型和电荷阱型。Kahng 和 Sze 在 1967 年发明了第一个浮栅 型器件，在这个器件中，电子通过 3nm 厚度的氧化硅层隧道效应从浮栅中被转移到 substrate 中。隧道效应同时被用于对期间的编程和擦除，通常它适用于氧化层厚度小于 12nm。 储存在 浮栅中的电荷数量可以影响器件的阈值电压（Vth ）,由此区分期间状态的逻辑值 1 或 0 。 在浮栅型存储器中，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。所有的浮 栅型存储器都有着类似的原始单元架构。他们都有层叠的门极结构如图一所示。第一个门极被埋 在门极氧化层和极间氧化层之间，极间氧化层的作用是隔绝浮栅区，它的组成可以是氧-氮-氧， 或者二氧化硅。包围在器件周围的二氧化硅层可以保护器件免受外力影响。第二个门极被称为控 制门极，它和外部的电极相连接。浮栅型器件通常用于 EPROM(Electrically Programmable Read Only Memory)和 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)。 电荷阱型器件是在 1967 年被发明的，也是第一个被发明的电编程半导体器件。在这类型的存储 器中，电荷被储存在分离的氮阱中，由此在无电源供应时保持信息。电荷阱器件的典型应用是在 MNOS(Metal Nitride Oxide Silicon) ， SNOS(Silicon Nitride Oxide Semiconductor) 和 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)中。图二展示了一个典型的 MNOS 电荷阱 型存储器的结构。 MNOS 中的电荷通过量子机制穿过一层极薄的氧化层（一般为 1.5-3nm）从沟道中被注入氮层 中。世界上第一个 EPROM,是一个浮栅型器件，是通过使用高度参杂的多晶硅（poly-Si）作为 浮栅材料而制成的，它被称为浮栅雪崩注入型 MOS 存储器（FAMOS）。它的门极氧化层厚度 为 100nm, 由此保护电荷流向substrate 。对存储器的编程是通过对漏极偏压到雪崩极限使得电 子在雪崩中从漏极区域被注入到浮栅中。这种存储器的擦除只能通过紫外线照射或 X 光照射。 如今，这种 EPROM 的封装形式通常是陶瓷带有一个可透光的小窗口，或者是一个塑料封装的 没有石英窗的。这些存储器被称为一次性编程存储器（OTP ）,这种存储器很便宜，但是在封装 后要测试他们是不可能的。带有石英窗口的 EPROM 价格比较贵，但是由于可被擦除，所以可 以在封装后作另外的测试。 虽然在 70 年代有了紫外可擦除型的商业用非易失存储器，研制电可擦写型非易失存储器的吸引 力正在逐渐扩大。 H.IIZUKA et.al 发明了第一个电可擦写型非易失存储器，被称为叠门雪崩注 入型 MOS(SAM