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5 放大电路频率响应的改善和增益带宽积 3)引入负反馈。在电路中引入负反馈,可以扩大放大电路的通频带。 2)增大fH,改善高频响应。有 其中: 所以应减小电阻和电容,选择特征频率高, 小的高频管,还要减小gmR’L。但是,减小gmR’L 会时放大电路电压增益下降。可见扩展频带和提高电压增益是有矛盾的。 5.放大电路频率响应的改善和增益带宽积 “增益带宽积”GBP,它是中频电压放大倍数Ausm 和通频带fBW的乘积。 是衡量放大电路性能的一项重要指标。 由于 增益带宽积为GBP: 可以看出,在一般情况下,当晶体管和信号源选定后,增益带宽积也就大体确定。如果要使放大电路的通频带宽,同时又要使它的电压增益高,则应选用 和 都很小的高频管。 3.5.5 多级放大电路的频率响应 设多级放大电路每一级的电压增益分别为 , ,… , ,则总的电压增益为: 由式(6-45)可写出多级放大电路电压增益的波特图的表达式为: 因此,只要把各级电压增益的波特图进行叠加,就可以得到多级放大电路总电压增益波特图。 * GBP =Gain-Bandwidth Product 增益带宽乘积 3.5放大电路的频率响应 3.5.1放大电路频率响应概述 3.5.3晶体管和场效应管的高频等效模型 3.5.4单管放大电路的频率响应 3.5.2RC电路的频率响应 3.5.5多级放大电路的频率响应 本节重点 1.频率响应产生的原因和表示方法: 低频Au下降的主要因素取决于耦合电容C, 高频Au下降的主要因素取决于管子的极间电容。 2.RC低通和高通电路的频率响应: 幅频特性和相频特性、通频带和截止频率 3.单管共射/多级放大电路的频率响应及相应参数的计算 中频响应、低频响应、高频响应、完整波特图 3.5.1 频率响应概述 一、 频率响应产生的原因 原因:晶体管的极间电容 放大电路的耦合电容、旁路电容和分布电容 电容的容抗均随着信号频率的变化而变化,因而使放大电路对不同频率信号的放大效果将不完全相同。这说明放大电路的电压放大倍数(增益)是频率的函数,这种函数关系叫做“频率响应”或者“频率特性”。 3.5.1 频率响应概述 中频段:耦合电容、旁路电容容抗 小 ? 短路 晶体管结电容的容抗 大 ? 开路 不考虑放大电路的频率特性。 低频段:晶体管结电容 ? 开路 但是,耦合电容和旁路电容的容抗增大,对信号传输的作用不可忽略。 3.5.1 频率响应概述 高频段:耦合电容,旁路电容 ? 短路 晶体管结电容和线路分布电容的容抗很小,对电流的并联分流作用不可忽略,同样会使增益的幅值减小,同时产生附加相位移。 二、 频率响应的表示方法 电路的频率特性包括:幅频特性 相频特性 幅频特性:指电压增益的幅值和频率的关系。 相频特性:指输出电压与输入电压之间的相位差 和频率的关系。 通常把中频段的电压增益用Aum表示。当Aum 在高频端和低频段下降到0.707 Aum 时所对应的两个频率点叫做放大电路的“截止频率”。 二、 频率响应的表示方法 图6-1 放大电路的幅频特性和相频特性 幅频特性指电压增益的幅值和频率 的关系。 相频特性指输出电压与输入电压之间的相位差 和频率的关系。 下限截止频率 上限截止频率 重要技术指标,不失真放大的频率范围 3.5.2 RC电路的频率响应 1. 高通电路及频率响应 2. 低通电路及频率响应 3. 波特图(Bode plot) 用对数坐标画频率特性曲线. 由对数幅频特性和对数相频特性组成. 高通电路与低通电路的波特图 幅频特性 相频特性 略去 、 ,开路 ,得到简化的晶体管的高频小信号等效模型。 考虑到晶体三极管发射结和集电结电容的作用,每个PN结均可用一个并联的结电容和结电阻等效。 3.5.3 晶体管和场效应管的高频等效模型 一、 晶体管的高频等效模型 1.晶体管的混合参数 ? 形模型 图6-6 晶体管的高频物理模型 表示受发射结电压控制的集电结电流(压控电流源)。 晶体管混合参数 型等效电路 2.晶体管的混合参数 形等效电路 简化H参数等效电路 中低频时混合?形等效电路 当频率不高时,晶体管的结电容 和 的数值都很小,它们的影响
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