3.生物医学传感电阻传感器.ppt

* * 由于微电子技术的进步，四个应变电阻的一致性可做的很高，加之计算机自动补偿技术的进步，目前硅压阻传感器的零位与灵敏度温度系数已可达10-5/℃数量级,即在压力传感器领域已超过温度系数小的应变式传感器的水平。 * * MPX4100A系列集成硅压力传感器 * * 应用－－三角翼表面压力测量 * * 压阻式加速度传感器 悬臂梁单晶硅衬底采用（001）晶向，沿[110]与 [110]晶向分别扩散二个(P型)电阻条 基座 l b h [110] [110] m：质量块的质量(kg) b,h：悬臂梁的宽度和厚度（m） l：质量块的中心至悬臂梁根部的距离（m） a：加速度(m/s2) 生物医学应用实例 呼吸气流传感器 弹性电阻应变式传感器 肌肉力传感器 心内导管压阻式压力传感器 针式压力传感器 为了方便长期观察或监护，往往需要将一些微型压力传感器植入人体或动物体内，通过压力传感器和发射机将被测参数传输出来。这种微型传感器常常用压阻元件构成。 植入式压力传感器 * * 微机电系统的微细加工技术 微细加工技术是利用硅的异向腐蚀特性和腐蚀速度与掺杂浓度有关,对硅材料进行精细加工,制作复杂微小的敏感元件的技术。 1) 体型结构腐蚀加工 体型结构腐蚀加工常用化学腐蚀（湿法）和离子刻蚀（干法）技术。 2)表面腐蚀加工——牺牲层技术 该工艺的特点是利用称为“牺牲层”的分离层,形成各种悬式结构。 * * 如图(a)、(b)所示,先在单晶硅的（100）晶面生长一层氧化层作为光掩膜,并在其上覆盖光刻胶形成图案,再浸入氢氟酸中,进行氧化层腐蚀。 然后将此片置于各向异性的腐蚀液（如乙二胺＋邻苯二酚＋水）对晶面进行纵向腐蚀,腐蚀出腔体的界面为（111）面,与（100）表面的夹角为54.74°,如图(c)所示。 单晶硅立体结构的腐蚀加工过程 * * 在N型硅（100）基底上淀积一层Si3N4作为多晶硅的绝缘支撑,并刻出窗口,如图(a)所示。利用局部氧化技术在窗口处生成一层SiO2作为牺牲层,如图(b)所示。 在SiO2层及余下的Si3N4上生成一层多晶硅膜并刻出微型硅梁,如图(c)所示。腐蚀掉SiO2层形成空腔,即可得到桥式硅梁,如图(d)所示。另外,在腐蚀SiO2层前先溅铝,刻出铝压焊块,以便引线。 表面腐蚀加工——牺牲层技术形成硅梁过程 * * * * 作业 调研电阻式传感器在生物医学工程中的应用实例 要求：每人PPT讲解8-10分钟 成员：胡自溪、张涵、张彩宁、杜远宁、郑瑜 * * * * 3、影响压阻系数的因素? 扩散电阻的表面杂质浓度和温度。 120 140 100 80 60 40 20 1018 1019 1020 1021 表面杂质浓度NS /cm-3 P型Si(π44) N型Si(-π11) ? π11或π 44 / ×10-11m2/N T=24℃ 压阻系数与表面杂质浓度NS的关系 扩散杂质浓度增加，压阻系数都要减小 * * 解释： n：载流子浓度 e：载流子所带电荷 μ ：载流子迁移率 ρ ：电阻率 Ns↑→杂质原子数多→载流子多→ n↑→ρ↓ 杂质浓度Ns↑→ n↑→在应力作用下ρ的变化更小△ ρ↓→△ ρ/ ρ↓ * * 表面杂质浓度低时，温度增加压阻系数下降快 表面杂质浓度高时，温度增加压阻系数下降慢 * * 解释： T↑→载流子获得的动能↑→运动乱→μ↓→ρ↑↑→△ ρ/ ρ ↓→ π ↓ Ns大， μ变化较小→ π变化小 Ns小， μ变化大→ π变化大 Ns大： π受温度影响小 高浓度扩散，使p-n结击穿电压↓→绝缘电阻↓ →漏电→漂移→性能不稳定 * * 四、固态压阻器件 1、固态压阻器件的结构原理 １ ２ ３ ４ ５ ７ ６ 1 N-Si膜片 2 P-Si导电层 粘贴剂 硅底座 引压管 Si 保护膜 7 引线? * * 当硅单晶在任意晶向受到纵向和横向应力作用时，如图 (a)所示，其阻值的相对变化为： 式中 σl——纵向应力； σt——横向应力； πl——纵向压阻系数； πt——横向压阻系数。 力敏电阻受力情况示意图 （a） [001] [100] [010] πlσl πtσt R * * 在硅膜片上，根据P型电阻的扩散方向不同可分为径向电阻和切向电阻，如图 (b)所示。扩散电阻的长边平行于膜片半径时为径向电阻Rr；垂直于膜片半径时为切向电阻Rt。当圆形硅膜片半径比P型电阻的几何尺寸大得多时，其电阻相对变化可分