推荐2011年度省科学技术奖励项目公示 - 太原理工大学科技处网站.doc

宁波市科技进步奖项目公示 项目名称：低维纳米结构精细调控及其高效光电器件应用基础研究、推荐单位：宁波工程学院 、项目简介： 低维纳米材料一直是纳米科技的研究前沿和热点，已成为材料性能与维度和量子限制效应相关性的一种有效研究系统，作为连接和功能单元在微纳器件中将发挥越来越重要的作用，有望为新颖高效的光电器件研发取得重大突破提供契机。 柔性电子器件在电子织物、分布式传感器、纸上显示器以及建筑物表面的大型弯曲显示等领域具有广泛的前景。大量研究表明，低维纳米结构具有传统材料所不具备的优异场发射性能，在构筑新颖柔性场发射阴极材料上优势显著。然而得以真正应用，还有赖于性能的进一步改善和提高。据文献报道，强化纳米结构场发射性能的方法主要有如下三种：i) 利用局域场增强效应，制备纳米微尖结构；ii) 增加纳米结构电子发射点密度；iii) 通过掺杂改性调控结构能带或提高其费米能级附近的电子态密度。然而，已报道的大部分工作均采用上述单一方法来改善纳米结构的场发射性能。柔性SiC场发射阴极材料的研发，目前国际上尚处起步阶段，系统。 在众多传感器中，半导体压力传感器因其优异性能而备受关注。国内外报道的压力传感器主要包括如下几种：SOI(Silicon on Insulator)和SOS(Silicon on Sapphire)单晶硅、多晶硅、溅射合金薄膜、光纤、金刚石薄膜。然而，上述传感器大部分仅仅只能在200(C以下工作。碳化硅(SiC)是第三代宽带隙半导体材料，具有优异的综合性能，是高温压力传感器研发的优异候选材料。美国Kulite传感器公司生产的6H-SiC高温压力传感器，可稳定工作于500(C。SiC特别是单晶SiC有望Si的应用瓶颈，实现高性能高温压力传感器。围绕SiC压力传感器研发，主要集中在薄膜、多晶和单晶块体材料SiC晶片普遍存在微管道缺陷，在高压下可电流的传输通道，SiC提前击穿材料制备科学与压阻效应理论等基础研究发展和完善。 自1972年日本学者Fujishima等人发现光照二氧化钛(TiO2)电极会导致水分解产生氢气和氧气以来，半导体光催化剂的研发如火如荼。介孔材料具有高比表面积、孔径可调、质轻等特性，在催化和分离等领域具有诱人的应用前景。随着研究的不断深入和纳米的快速发展，低维介孔纳米纤维越来越受到研究者的广泛关注。相比较于传统介孔体材料，介孔纳米纤维由于其独特的一维结构，能够有效缩短电子间的传输路径，同时有效减少纳米颗粒的团聚，实现高效稳定光催化剂的研发。 本项目工作新颖高效光电器件研发，有机前驱体热解技术，实现SiC和TiO2等无机非金属低维纳米材料生长的，实现柔性场发射阴极、光催化剂和压力传感器等综合性能优异的光电器件研发，其主要创新如下： (1) 有机前驱体热解技术创新：通过设计和控制热解气氛和降温速率等关键工艺参数，实现SiC单晶低维纳米材料尺寸、形貌和掺杂的精细调控；(论文2、3、6、8、9、13、14、16、19、20、22、29、30、34，发明专利3、5、9、10、11、12、14) (2) 发泡辅助静电纺丝技术创新：通过在有机前驱体混合液中引入发泡剂，静电纺丝预成型的纤维在高温热解时，发泡剂分解释放的气体在纤维材料的表面和内部实现造孔，实现全介孔纳米纤维材料的可控制备，是传统静电纺丝技术的完善和发展。(论文1、4、5、10、11、12、17、18、23、24、26、31、32，发明专利6、7、16) (3) 高效光电器件研发技术创新，主要包括： 1) 通过SiC纳米线尺寸、形貌和掺杂的优化设计，实现了最低开启电场为0.47 V/(m的SiC场发射阴极材料的研发，为目前国际上报道的综合性能最优的SiC场发射阴极；(论文2、3、6、8、9、13、14、16、19、20、22、29，发明专利、) 2) 通过SiC纳米线掺杂的优化设计，实现了目前国际上最高灵敏度的SiC压力传感器的研发，能够实现nN级别应力变化的探测，其压阻因子高达620，是已有报道最高值的10倍以上。对相关技术进行了拓展，实现了高灵敏Si3N4压力传感器的研发。(论文7、15、21、28、33，发明专利1、2) 3) 通过发泡辅助静电纺丝技术研发的TiO2等系列光催化剂，其光催化降解和光催化制氢效率国际领先。如当前国内外研发的纯TiO2纳米纤维的光催化制氢的效率最高为310 μmol g-1h-1，本项目所研发的全介孔纳米纤维光催化剂的制氢效率可达399 μmol g-1h-1。(论文1、4、5、10、12、17、18、23、24、32) 上述工作授权发明专利16项，发表SCI论文34篇(其中一区论文14篇，封面论文4篇)。相关工作为半导体低维纳米材料的可控生长和掺杂探索新的技术和原理，其科学和规律，推动纳米的发展。 、主要完成人及技术贡献： 排