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ITO-TFT 实验 王龙彦 2013.03.25 工艺流程 DC, Power=60 W, Time=3.5 min, Pressure=1.3 Pa 3号片 Ar:O2=40:1 sccm 2号片 Ar:O2=37:4 sccm 1号片 Ar:O2=34:7 sccm 无厚ITO源漏的测试 DC, Power=60 W, Time=30 min, Pressure=0.5 Pa，Ar:O2=40:1 sccm Lift-off Lift-off 器件特性-3号片 Ar:O2=40:1 sccm 形成有源区后测试 形成厚源漏的剥离 图形后测试 形成厚源漏后测试 形成有源区后测试 光刻胶覆盖沟道区 形成厚源漏后测试 很大的负电压可以将器件关断 很大的负电压和长时间可以将器件关断 W/L=50/40 片3分析 DC, Power=60 W, Time=3.5 min, Pressure=1.3 Pa, Ar:O2=40:1 sccm 条件对应的TFT IDVG为直线，扫描速度较快时无关断特性（同后面片2片1比较）。 此条件对应高载流子浓度的薄膜（应该是简并或弱简并的半导体），长时间的负栅压仍可能会沟道内的载流子慢慢耗尽，从而将器件关断，这一结果很具有迷惑性。 器件的IDVD特性接近于电阻，栅电压对ID影响较弱，沟道不能夹断，无饱和特性。 器件特性及分析-2号片 Ar:O2=37:4 sccm W/L=50/40 形成厚源漏后测试 形成厚源漏的剥离图形后测试 Von=-20 Von=-34 Von=-10 片2分析 DC, Power=60 W, Time=3.5 min, Pressure=1.3 Pa, Ar:O2=37:4 sccm 条件对应的TFT应该可以正常关断，较快速扫描时IDVG会有一个“小尾巴” IDVD有电流饱和的现象，预示沟道可以夹断。 开启电压较负，形成厚源漏剥离图形后测试分别对应-10V，而形成厚源漏后-20~-35 多次扫描IDVG曲线不能重合，开启电压向更负的方向漂移，器件恢复一段时间后，开启电压又向起始状态恢复 形成厚源漏剥离图形后（光刻胶覆盖沟道区）的测试IDVG相对较稳定Von在-10V左右，但光刻胶作为钝化不能代表真实情况 估算的迁移率9.3左右 器件特性及分析-1号片 Ar:O2=34:7 sccm 形成厚源漏后测试 W/L=50/40 形成厚源漏后测试 片1分析 Ar:O2=34:7 sccm 条件对应的TFT应该可以正常关断 IDVG曲线，在VD=0.1V时，出现非常“平”的现象，不随VG增加而增加；关态电流较片2变大，小于1pA的区域较少，而且随VD增大，关态电流明显增加，测试的原因？ IDVD有电流饱和的现象，预示沟道可以夹断。但IDVD显示出电流“拥挤”的现象，有肖特基势垒？大VD时，ID出现饱和后下降的现象。 开启电压形成厚源漏后-5~-15 多次扫描IDVG曲线不能重合，开启电压向更负的方向漂移，器件恢复一段时间后，开启电压又向起始状态恢复 估算的迁移率7.4左右 总结对比 3号片 Ar:O2=40:1 sccm 器件不能关断 2号片 Ar:O2=37:4 sccm 器件可以关断， 阈值电压在-15~-25范围内，迁移率约9.3 1号片 Ar:O2=34:7 sccm 器件可以关断， 阈值电压在0~-10范围内，迁移率约7.4 阈值电压、迁移率变化与预期结果一致，但迁移率较低、阈值电压较负 为提高阈值电压，仍需进一步增加氧分压，但迁移率会进一步降低 测试时，器件特性来回漂移，应当进行钝化 下一步计划 对器件进行钝化，溅射氧化铝约20nm 根据钝化后测试结果，增加氧分压， DC, Power=60 W, Time=5 min, Pressure=1.3 Pa 4号片 Ar:O2=28:13 sccm 5号片 Ar:O2=25:16 sccm