电子与材料200205p071钟朝安 浅谈相变化记忆体.docVIP

淺談相變化記憶體● 淺談相變化記憶體● 1 (A) 相變化記憶體的起源 2 (1) 相變化記憶體 2 (2) Chalcogenide (硫屬化合物)…Ovonic Switch 2 (3) 導電率會巨幅增加到106倍 2 (4) 相變化…半導體記憶體 2 (5) 相變化記錄材料﹕Ge-Sb-Te、In-Ag-Sb-Te 2 ◆表一﹕常見相變化記憶體研究材料 3 (6) 可擦拭相變化型記憶體﹕共晶▲組成的碲▲基合金 3 ◆圖一﹕相變化材料之結晶型態與物性的關係 3 (7) 長鏈狀的-Te-Te-Te-結構 4 (8) Stoichiometric Compound (計量比化合物) 4 (9) 相變化記錄媒體之材料需求﹕(五種) 4 ◆表二﹕相變化記錄媒體之材料需求 4 (B) 相變化記憶體的性能 5 (1) 寫入能力﹕結晶溫度約為熔點的1/3~2/3 (例如﹕150℃／600℃) 5 (2) 資料穩定性 5 (3) 擦拭能力﹕減少雷射光的λ、增加物鏡的NA 5 (4) 讀取能力﹕降低雜訊值→提昇CNR▲▲值 6 (5) 循環寫擦能力﹕理想的循環寫擦次數是106次以上 6 (6) 適合作為相變化記憶體之用的材料性質 6 ◆表﹕適合作為相變化記憶體之用的材料性質 6 (C) 相變化材料電性及記憶原理 7 ◆表﹕相變化材料電性及記憶原理■ 7 ◆圖二﹕硫屬化合物之電流電壓(I-V)特性圖 7 ◆圖三﹕電阻值隨電流值變化示意圖 9 ◆圖四﹕相變化記錄媒體之操作功能與溫度、時間對應圖 10 (D) 相變化記憶體的發展與展望 12 (1) 記憶體性質及技術的比較 12 ◆表三-1﹕多種記憶體性質及技術比較 12 ◆表三-2﹕多種記憶體性質及技術比較 13 (2) 相變化記憶胞及線路 13 ◆圖五-1﹕相變化記憶胞示意圖 13 ◆圖五-2﹕相變化線路示意圖 14 (3) 相變化記憶體之讀寫反覆循環次數 15 ◆圖六﹕相變化記憶體之讀寫反覆循環次數 15 (4) 相變化記憶體在不同介質層對寫入功率之影響 16 ◆圖七﹕相變化記憶體在不同介質層對寫入功率之影響 16 (5) 相變化記憶體「作成元件之後」將可能面對的問題 17 ◆表﹕相變化記憶體「作成元件之後」將可能面對的問題 17 (E) 結論 18 (F) 誌謝 18 (G) 參考文獻 18 相變化記憶體的起源 相變化記憶體 相變化記憶體就是利用物質相的變化來達成記憶體的特性﹐在資訊進步飛快的今日不僅資料要存得多、存得快﹐而且還要存得久﹐相變化記憶體就是在這樣的需求條件下所衍生出來的產品﹐它不僅能做得小(存得多)、速度快、還能在130℃下保存十年以上﹐再加上與現今半導體製程技術相匹配﹐因此預計未來幾年將對記憶體及電腦市場帶來一大衝擊。 Chalcogenide (硫屬化合物)…Ovonic Switch 1960 年代美國ECD 公司的S. R.Ovshinsky首先在Chalcogenide (硫屬化合物)中發現結晶態與非晶態的光學性質與導電率有著顯著不同﹐可進行快速的可逆轉換﹐具有開關(Switching)／記憶(Memory)的效應用途﹐即後來所謂的Ovonic Switch 。 導電率會巨幅增加到106倍 此種材料由於吸收熱之後結構變化上的可逆性佳、相轉換速度快﹐因此在作為記憶體方面的應用就漸漸被發掘。一般而言﹐原初鍍(As-deposited)的非晶態硫屬薄膜受熱後其對光穿透率會降低﹐而受熱區域的導電率會巨幅增加(逐漸形成結晶相)﹐相較於原初鍍之非晶薄膜的導電率增幅最高可達到106倍(圖◆一)﹐相變化記憶體係利用此性質作為記憶數位資料「0 」及「1 」的依據。 相變化…半導體記憶體 如目前常用來儲存資料、歌曲或電影的光碟片(CD 及DVD 等相關產品)﹐係利用相變化之後光學的對比變化來記憶﹔而本文所要談的則是另外一種相變化半導體記憶體﹕(做成像半導體IC一般來使用)。 之所以說它是半導體記憶體的主要原因是﹕此種硫屬的元素是在週期表中第VIA ■族(例如﹕氧(O)、硫(S)、硒(Se)、銻(Te)、鐠(Po)…等)是介於金屬與非金屬之間的半導性化合物﹐使用時必須再藉由添加一些元素去達到實用性質(例如﹕提高寫擦速度及結晶特性…等)。 相變化記錄材料﹕、 而常見被用來作為研究的材料有二元、三元、多元…等三種材料(如下表◆所示)﹔在目前相變化記錄材料的研究之中﹐以Ge-Sb-Te 與In-Ag-Sb-Te 兩大物系為主流(並已經商用化大量生產)﹕ ⊙Ge-Sb-Te 物系為日本Matsushita 公司所使用的相變化記錄材料﹐該公司於1995 年推出擁有65 MB 容量的相變化光碟PD (Powerful▲ Optical Disk System)﹐ ?其PD主要優點為具有100 萬次以