GB/T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法.pdf

ICS77.040 H21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT32282 2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 — TestmethodfordislocationdensitofGaNsinlecrstal y g y Cathodoluminescencesectrosco p py 2015-12-10发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT32282 2015 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会( / )与全国半导体设备和材料标准 SACTC203 化技术委员会材料分会( / / )共同提出并归口。 SACTC203SC2 : 、 。 本标准起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司 : 、 、 、 、 、 、 、 。 本标准主要起草人 曾雄辉 张燚 董晓鸣 牛牧童 刘争晖 邱永鑫 王建峰 徐科 Ⅰ / — GBT32282 2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 1 范围 本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在 3个/ 2 8个/ 2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。 1×10 cm ~5×10 cm 2 规范性引用文件 。 , 下列文件对于本文件的应用