发光光谱.DOC

等离子发光光谱研究 07300300057刘梦眉 摘要： 本实验使用PG4000型高分辨率快速响应光谱仪测量辉光光谱，研究谱线随光强变化规律。此外还采用双谱线法计算出辉光等离子体电子温度为3078K，并与弧光发射光谱做了对比，发现弧光光谱谱线强度明显大于辉光光谱谱线强度，并且出现一些辉光光谱中没有出现的谱线。 关键词： 等离子体物理 辉光光谱 双谱线法 电子温度 引言： ，然而在工业应用过程中对等离子体射流物理状态和过程的认识仍显得不足。为了测量等离子的重要参数，如电子密度、电子温度等，人们开发了两种技术，朗缪尔探针测量法和等离子光谱测量法，相对起前者，等离子光谱测量法因其对等离子体的无污染性而更具发展潜力。 实验原理： 所谓低压气体放电，是在气压较低情况下的一种气体导电，利用低压气体放电现象做成的光谱分析用光源称为低压气体放电光源。辉光（glow）就属于一种低压气体放电光源。在辉光放电装置中，密封放电管充以一定气压的某种气体。在管的两端各封入一块平板金属。在正常情况下，气体是一种良好的绝缘体，但是，当气体的原子或分子受到外界能量作用时，会形成电子和离子的质点。如果在放电管的两端电极上加上足够的电压，这些荷电的质点将在电场力的作用下定向运动而形成电流，产生气体导电，这种现象就是一般所说的气体放电。 由于放电条件的不同，气体放电有不同的形式和特点： 气体放电的伏安特性曲线[6] 图中各部分区域已被标注出来，其中AB阶段被称为汤生放电。在这一阶段，对着管端电压的继续增高，游离子运动速度加快，动能增高，以致足以使气体原子或分子电离，产生新的电子，这些新的电子和原来的电子在电场力作用下加速运动，又会使更多的原子或分子电离。如此往返放电，变得像雪崩一样的增长，管电流增长，但是此过程中导电电流的绝对值仍较小，一般在～A EG阶段为辉光放电阶段，它分为正常辉光放电阶段和异常辉光放电阶段。正常辉光放电有以下特征： 管中（阴阳极间的空间）出现明暗程度不同的区域。 管降压保持恒定，即管压与管流无关。 管压降较大（约数量级），管流较小（约A数量级）。 普朗克黑体辐射定律是用于描述在任意一个温度T，从一个黑体发射的电磁辐射的辐射率与电磁辐射的频率的关系公式，这里的辐射率是频率的函数： =2.82kT时达到峰值。若写成波长的函数，在单位立体角的辐射率为： 实验仪器： 我们的实验仪器采用的是DH2005型直流辉光等离子实验仪，准直镜和PG4000型高分辨率快速响应光谱仪。其中DH2005型直流辉光等离子实验仪是在经典直流放电管的基础上加以改进，工作气体、工作电压、电极距离等影响等离子体的参数均可灵活地加以单独或组合调控，该装置包括可拆卸的气体放电管、测量系统、进气系统、真空系统和水冷系统等部分组成，我们采用氩作为其工作气体。 实验内容及分析： 我们有一台光源温度为2800K的溴钨灯，根据普朗克黑体辐射公式，我们拟合了T=2800K时的黑体辐射曲线，如下图： （a）X 在光谱仪上，我们得到溴钨灯光谱如下： （b）X 用（b）图纵坐标值除以（a）图纵坐标值，我们得到如下的响应曲线： X轴横坐标表示波长/nm，纵坐标表示光强 由响应曲线可以看出，本台光谱仪的响应曲线在480nm到1132nm的波长范围内出现了4个较大的峰，每个较大的峰上还有许多小峰。经查询，在480nm到1132nm的波长范围内，波长为608.11nm，661.72nm，665.19nm，668.13nm和674.53nm处的响应曲线纵坐标值最大，也就是说PG4000型光谱仪对以上5条波长处的谱线反应最灵敏。 经测量，不加准直镜时光纤的入射角为42.6度左右，而加上准直镜后的光纤入射角为4.58度左右，现比较加上准直镜和不加准直镜的光纤在同一位置以同一条件测得的两幅光谱图如下： 加上准直镜后的谱线，x轴横坐标是波长/nm，纵坐标为光强 不加准直镜时的谱线，x轴横坐标为波长/nm，纵坐标为光强 对比观察图中谱线，可发现加上准直镜后的谱线强度明显变小了，这是因为在未加准直镜之前，光纤的入射角很大，测量过程中会有一些其他位置上同样波长的光线射进光纤，引起光强增大，而加上准直镜后，光纤入射角变小了许多，因此未加准直镜时的光线强度比加上准直镜后的光线强度要大一些。 观察841nm波长的谱线强度沿放电管轴向的分布图： X轴横坐标为轴向测量位置坐标/cm，纵坐标为光强值 ArⅠ的其中一条谱线波长为842.805nm，ArⅣ的一条谱线波长为840.03nm，而光谱仪的分辨率在2nm左右，因此841nm的谱线可能包含了两条谱线。从图中可以看出，拟合后的曲线在-50cm～-16cm是下降的，然后从-16cm开始又继续上升。其强度的变化主要与电子在管内运动的速度，以及空间电荷的分布有关。在辉光放电过程中，电离后的氩