化学机械抛光接触压力均匀性参数分析.PDF

化學機械拋光接觸壓力均勻性參數分析 顏嘉良 研究目的 化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing)其研磨均勻度對晶圓元件之良率有重大之 影響。本研究以機械作用的觀點出發，探討在 不同負載壓力下之晶圓與研磨墊之間接觸應力 均勻度影響。由於 CMP 操作參數十分複雜，例如平台和晶圓載具加在晶圓上的外在負載壓 力、研磨墊材料性質與幾何形狀等等變數。因此，本文將針對CMP研磨中製程參數，研究晶 圓研磨進行時晶圓與研磨墊之間的接觸形態在 不同負載壓力下影響接觸壓力平坦化程度進行 深入的探討，發展並評估其理論模型。進而利用有限元素模型(Finite Element Model)建立化學 機械拋光FEM模型，如圖 1所示。探討 CMP 製程參數靈敏性，作為之後CMP調控參數的 準則。由模擬結果顯示，無背壓補償時，其晶圓邊緣接觸應力的較內緣的接觸應力不均勻情 況嚴重，適度的調整晶圓背壓大小與位置確實有改善晶圓研磨不均勻性之效果，此模擬結果 與壓力分佈之理論分析相符合。一旦改善了晶圓與研磨墊之間接觸時不均勻性，對於化學機 械平坦化製程中，可以更充分的掌握，進而降低廠務成本之損失。 目前計畫進度 化學機械拋光處理必須考慮諸多參數，在此本文主要針對 CMP研磨中參數，研究 CMP 研磨時晶圓與研磨墊之間的接觸形態在不同負載壓力下影響接觸壓力平坦化程度進行分析， 以充分瞭解CMP 之研磨機制，建立 FEM模型及探討不同參數調控的準則。 整合前面幾節所說明的結果，我們利用有限元 素分析模型，建立假設 Preston’s equation 係數 C 、與相對線速度V為常數，考慮改變不同負載壓力對CMP之效應影響。以Fu and Chandra paper理論為基礎，結果發現 FEM 模型所分析的數據曲線趨勢與理論值趨勢相似，證實本文 建立 FEM 模型可靠性。 具有溝槽研磨墊在進行化學機械拋光機制下，其影響晶圓與研磨墊之間接觸壓力則呈現 與接觸面積反比現象。建立晶圓背壓分段負載分佈壓力，調整靠近晶圓壓力較大時，則晶圓 與研磨墊接觸面之間均勻度有較好的改善。考慮以分段施加負載均勻壓力探討晶圓翹曲量之 間效應，改變施加壓力的分佈曲線，控制在晶圓上分佈壓力，達到壓力調控狀況，改善晶圓 平坦化處理；整理各項參數效應，彙整出在固定晶圓背壓負載均勻壓力為1psi ，分析不同晶 圓翹曲量均勻度曲面圖如圖 2所示。最後總結從 FEM模擬結果可以發現靠近晶圓邊緣處增大 改變下壓之負載分佈壓力，與單純在晶圓上施加一均勻負載分佈壓力，很明顯地知道施加分 段壓力可以提升晶圓接觸壓力均勻性。其結果可以知道分段施加分佈壓力比整體施加分佈壓 力改善晶圓與研磨墊之間接觸應力均勻性較佳。最後定義接觸壓力均勻性，以期此均勻性定 義作為之後調整參數之依據。 1.5 5 4 3 Edge effect P