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第３章　　　ｐ型とn型の接触　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ｐ－n 接合　 ｐ型とn型の接触　：印加電圧の無い状態 物質から電子を外部（充分離れたところ：これを真空準位とも呼ぶ）に取り出すためには、ある一定量以上のエネルギーが必要であり、そのエネルギーを電荷量ｅで割ったもの（電位：ポテンシャル）をその物質の仕事関数とよぶ。 いま、半導体から電子を取り出す事を考えると、図３－１に見るごとく、伝導帯から電子を取り出す方が価電子帯から電子を取り出すより、バンドギャップ分だけエネルギーが少なくてすむように思われるが、実際は電子が取り出された後で半導体内を先に見た熱平衡の状態に戻すために、伝導帯から電子を取り出した場合（ａ）には伝導帯の電子が不足しているので、系全体の平均エネルギーであるフェルミ準位から伝導帯に電子を上げる必要があるためにエネルギーが必要になり、逆に価電子帯から取り出した場合（ｂ）には同様の理由により今度はフェルミ準位から価電子帯に電子を下げる事が必要になり、エネルギーが得られる事になる。その為半導体から電子を取り出すための正味のエネルギーは、常にフェルミ準位から電子を取り出す事（ｃ）と等しい。 さて、n型とｐ型の半導体を互いに接触させて、電荷の行き来を可能にして階段接合１）を作ると、全体として定常状態になり、当然電流は流れない。そのため構造の何処でも仕事関数は等しくなり、フェルミ準位は図３－２に示すように構造全体に渡って等しくなる２）。 さて、フェルミ準位を等しくするためにはｎ型とｐ型の接触部（接合）３）近くで、バンドは図３－２のように、なめらかに曲って繋がらねばならない。これは接合近くに居た電子の一部が n－領域の奥に、正孔が更にp－領域の奥に移動する事によって実現される４）。 その結果、接合近辺には半導体内に固定された負のアクセプタイオン（ｐ－側）ならびに正のドナーイオン（n－側）が残され、そこでは電荷中性の条件が成立せず、これに起因する電界（ポアソンの法則：?ξ／?ｘ＝ρ／ｅから導かれる）が存在する。またその電界は eξ≡?Ei ／?x なる関係を通じて半導体の真正フェルミ準位と関係付けられるため、図３－２に示すように接合部分ではEcとEvはなめらかにつながる事が解る。 ――――――――――――――――――――――――――――――――――――――――――― １）　ここではアクセプターを含む半導体とドナーを含む半導体がつながって接合を作っており、接合点で p型と n型の不純物の急俊な切り替わりがあると仮定している。この様な接合を階段接合（Step Junction）、更にこの近似を階段接合近似と呼ぶ。 ２）電流が流れない時に、フェルミ準位が構造全体に渡っで等しくなる事は電流連続の式から導く事が出来る。この取扱は付録：詳細な数式表示に纏めておく。 ３）この接触部を金属学的な接合（Metallurgical Junction）と呼ぶ。また単に接合（Junction）と呼ぶ事も多い。但しどちらかと言えば金属学的な接合は接合面自身を現わし、接合はそれを含む構造自体を意味する場合が多い。 ４）これは次に見るように接合近くで電界が発生し、その電界に従って起きる現象と理解してもよい。 またここでは、説明の便宜上あたかも一つづつが順次因果関係的に起きるように述べたが、実際は、これらの関係は一つの現象として発生している。それは、前の章で見た基本方程式を電流ゼロの条件で解いたときの解である。 また先に述べた図３－２でのp型の伝導帯や価電子帯とn型の伝導帯や価電子帯との間の［ポテンシャル］エネルギーの差は、n型とp型の仕事関数［電位］、φnとφp、の差に電荷量を掛けた物になっており、数式的には、 e（φp－φn）＝ Eg－（ Eｃ－ Eｆｎ）－（ Eｆｐ－Eｖ）≡ e Vｂｉ　　式３－１ と書き表せ、この電位、Ｖbiを外部から電圧を印加しなくても内部に発生する電位であるので、内蔵電位（Built-in Potential）、拡散電位（Diffusion Potential）等と呼ぶ５）。ここに、ＥfPとＥfnは各々ｐ型及びｎ型半導体の中でのフェルミ準位である。またこのＶｂｉは式１－10、１－22、１－24 を援用する事により ｅＶｂｉ＝kT｛ln（ＮｃＮｖ／nｉ２） 　－ln（Ｎｃ／ｎｎ０）－ln（Ｎｖ／ｐｐ０）｝　　　　　　　式３－２ ＝kT?ln（ｎｎ０ｐｐ０／ｎｉ２） ＝kT?ln（ＮＤＮＡ／ｎｉ２） となる。ここで、ｎ領域での電子と正孔の数をｎn0、ｐn0、ｐ領域でのそれを各々、ｐp0、ｎp0とあらわしている。 また最後の式の導出には、ドナー準位とアクセプター準位が考えている温度の熱工ネルギーに較べて充分浅く