413半导体三极管.docVIP

教　　案 教师姓名 刘玲 课程名称 电工电子技术 班　级 授课日期 课　时 2 课　型 授新课 章节名称 4.1.3 半导体三极管 教学目的 了解半导体三极管的结构。 2、理解半导体三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数。 教学重点 半导体三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数 教学难点 半导体三极管的电流分配与电流放大作用 补充、删 节、更新 教　　具 多媒体仪 课外作业 2题 课后体会 授课主要内容 4.1.3 半导体三极管 一、 三极管的结构及类型 三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 二、三极管的基本工作原理 1、产生放大作用的条件 2、三极管内部载流子的传输过程 3、电流分配关系： IE = IC + IB 三、三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 2．输出特性曲线 四、三极管的主要参数 五、练习 组织教学：检查学生出勤情况，安定课堂秩序。 复习旧课：二极管的工作原理、伏安特性及其主要参数 新课教学： 4.1.3 半导体三极管 一、 三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 二、 三极管的基本工作原理 1、产生放大作用的条件 内部：1）发射区杂质浓度基区集电区 2）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 2、三极管内部载流子的传输过程 1）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE 2）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB 3）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 iC 3、电流分配关系： IE = IC + IB 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。 三、三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 （与二极管类似） 2．输出特性曲线 （1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置 （2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置 （3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置 此时 四、三极管的主要参数 1、电流放大系数β：IC= βIB 2、极间反向电流ICBO、ICEO： ICEO=（1+ β ）ICBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：(下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 （3）集电极最大允许功耗PCM 。 PCM=ICUCE 五、练习 小结：1、三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数。 2、三极管的电流分配与电流放大作用。 PNP 型 NPN 型 箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向