实验十五 霍尔效应 实验十五 霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流 .DOC

实验 霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。从本质上讲，霍尔效应是电流的一种磁效应。1879年，美国霍普金斯大学24岁的研究生霍耳在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了这一电磁现象——霍尔效应。随后人们在半导体、导电流体中也发现了霍耳效应，且半导体的霍耳效应比金属强得多。 霍耳效应发现约100年后，1980年由德国科学家克利青等人又发现了整数量子霍耳效应 (IQHE)，并于1985年获得了诺贝尔物理学奖。1982年，崔琦、施特默和劳夫林又发现了分数量子霍耳效应(FQHE)，获得了1998年诺贝尔物理学奖。 随着科学技术的发展，霍耳效应已在测量、自动控制、计算机和信息技术等方面得到了广泛的应用，主要用途有以下几个方面：1）测量磁场；2）测量直流或交流电路中的电流强度和功率；3）转换信号，如把直流电流转换成交流电流并对它进行调制，放大直流和交流信号；4）对各种物理量（可转换成电信号的物理量）进行四则运算和乘方开方运算。由霍耳效应制成的霍耳元件具有结构简单而牢靠、使用方便、成本低廉等优点，在生产和科研实际中得到越来越普遍的应用。 【实验目的】 了解霍尔效应的原理； 掌握霍尔电压的测量方法，学会用霍尔器件测量磁场； 测量霍尔器件的输出特性。 【实验仪器】 DH4512系列霍尔效应实验仪 【实验原理】 一、霍尔效应的基本原理与应用 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于（图15-1）所示的半导体试样，若在X方向通以电流I，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A、A(电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有： 15-1） 其中,为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则 （15-2） 由（15-1）、（15-2）两式可得： （15-3） 即霍尔电压（A、A(电极之间的电压）与乘积成正比，与试样厚度成反比。比例系数称为霍尔系数，它是反映材料的霍尔效应强弱的重要参数。 霍尔器件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件。对于成品的霍尔器件，其中和已知，因此在实用上就将（15-3）式写成 （15-4） 其中，称为霍尔器件的灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。（15-4）式中的单位取为mA、为KGS（），为mV，则的单位为mV/(mA(KGS)。根据（15-4）式，因已知，而由实验给出，所以只要测出就可以求得未知磁感应强度 （15-5） 二、霍尔电压的测量方法 应该说明，在产生霍尔效应的同时，会伴随着一些热磁副效应，及A、A(电极的不对称性等因素而引起的附加电压叠加在霍耳电压上，从而引起测量误差。以致实验测得的A、A(两电极之间的电压并不等于真实的值，而是包含着各种副效应等引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理（参阅附录）可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除。 ,,, 然后，求上述四组数据、、、的代数（有正负之分）平均值，可得： （15-6） 通过对称测量法求得的，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可略而不计。（15-5）、（15-6）两式就是本实验用来测量磁感应强度的依据。 【实验步骤与要求】 一、连接电路 按仪器面板上的文字和符号提示将DH4512型霍尔效应测试仪与霍尔效应实验架正确连接。 1．将DH4512型霍尔效应测试仪面板右下方的励磁电流的直流恒流源输出端（0～0.5A），接DH4512型霍尔效应实验架上的磁场励磁电流的输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。 2．“测试仪”左下方供给霍尔元件工作电流的直流恒流源（0～3mA）输出端，接“实验架”上霍尔片工作电流输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。 3．“测试仪”霍尔电压输入端，接“实验架”中部的霍尔电压输出端。 4．用一边是分开的接线插、一边是双芯插头的控制连接线与测试仪背部的插孔相连接(红色插头与红色插座相联, 黑色插头与黑色插座相联)。