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2017-06-25 发布于浙江
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NaI_Tl_晶体的性能研究

295 ( ) Vol. 29 No. 5 2006 10 Jour al of A hui Normal U iversity ( Natural Scie ce) Oct . 2 0 0 6 NaI(Tl) 1, 2 2 2 2 2 吕海江 , 蔡康松 , 焦铮 , 程和平 , 李铮 ( 1. , 230026; 2. , 245021) : 利用蒙特卡罗方法, 模拟能量为140KeV 的射线在NaI(Tl) 晶体的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布, 得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果. 模拟表明, NaI(T l) 与包装之间的界面粗糙时比光滑时空间分辨更好; 闪烁心离出光面越近位置分布越窄, 且晶体厚度11mm 时光产额最大. : 蒙特卡罗; 光产额; 闪烁; 成像 : O572. 21 : A : 1001- 2443( 2006) 05- 0432- 03 NaI(Tl) , , , , , , , . , NaI [ 1] (Tl) ( Radiatio le gth) . NaI(Tl) [ 2, 3] ( GEM) , . NaI(Tl) . ( CERN) 1999 Gea t4, C+ + . , , , , . , Gea t4 . 1 1 140KeV 1. 1 Fig. 1 Sci tillatio process i a crystal NaI(Tl) , 90mm, L. Z , , 140KeVZ . ( SiO2) , . 1. 2 140KeV: , . 1 . NaI(Tl) 0. 408mm, , . NaI 96%, Tl 4%. , h, , ( r, ) , I : 2 2 3/ 2 I= h/ [4( r + h ) ] ( 1) : 2005- 10- 26 : ( 200635002) ; ( YL 1365000001) . : ( 1977- ) , , , , . 29 5 , , , : NaI( T 1) 433 2 Geant4 2. 1 10mm, 140KeV , . ( ) h= 8. 42mm, I 2 . ( 1) , h= 8. 33 0. 24mm, . , 3 , h= 7. 39mm, h= 7. 86 0. 31 mm, . , , , . , . 2. 3 140KeV( FWHM) , ( 1) . 3 = 2 4- 1h= 1. 53h ( 2) 4 . Y= BX , B= 1. 55 0. 09, ( 2) . 2. 4 1000, 10mm, 140KeV ( r 0 ! 9 2!) . 4 140KeV ( 1) , 5 , , FWHM Fig. 4 FWHM of photo output distributio