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ME90N03-天玖隆
Preliminary-ME90N03(-G)
N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD Protected
GENERAL DESCRIPTION FEATURES
The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power ● RDS(ON) ≦4.8mΩ@VGS=10V
field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ● RDS(ON) ≦9mΩ@VGS=4.5V
trench technology. This high density process is especially tailored to ● ESD Protected
minimize on-state resistance. These devices are particularly suited ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
for low voltage application such as cellular phone and notebook ● Exceptional on-resistance and maximum DC current
computer power management and other battery powered circuits capability
where high-side switching , and low in-line power loss are needed in
a very small outline surface mount package. APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Battery Powered System
● DC/DC Converter
PIN CONFIGURATION ● Load Switch
(TO-252)
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e Ordering Information: ME90N03 (Pb-free)
ME90N03-G (Green product-Halogen free)
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ Unless Otherwise Noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage
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