电子封装用SiCp_Al复合材料渗透法制备及渗透机制.pdfVIP

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2017-06-26 发布于浙江
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电子封装用SiCp_Al复合材料渗透法制备及渗透机制.pdf

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电子封装用SiCp_Al复合材料渗透法制备及渗透机制

9 1 Vol. 9, No. 1 2 0 0 2 2 Metallic Functional Materials February, 2002 SiCp/ Al 张建云华小珍周贤良 ( 330034) SiCp/ Al , , 850~ 950 , , , SiC , T B331; T N 604 A 1005- 8192( 2002) 01- 0026- 03 The Fabrication of SiCp/ Al Composite for Electronic Packaging by Infiltration Technique and its Mechanism Zhang ianyun, Hua Xiaozhen, Zhou Xianliang ( Dept of M aterial Engineer ing , N anchang Institute of Aeronautical T echnology, N anchang iangxi 330034) A STRACT T he fabricatio n of SiCp/ A l composite for electronic packaging by infiltration technique is studiedAt the temperatur e of 850~ 950 , without the additional pressure, the melted aluminium alloy spontaneously infiltrated into SiC particles to form composite by using infiltration aid in airT he mechanism is also discussed KEY WORDS electr onic packag ing , metal matr ix composite, infiltration , 1 1~ 2! , , , , , Lanxide 3! : , , SiC ∀ , , , , : , , SiC , , 2 , 21 , , FeNi , SiC , 150# , , 100 ~ 80m, ZL101 : ( 1958- ) , , , , 1 : SiCp/ Al 27 , #, , , , , 1 800 22 900 , : ∃SiC ∃ ∃ ∃∃ , 500 , 23 , SiC , SiC