磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响.pdfVIP

第 38卷 第 10期 金 扁 学 皱 Vo1．38 NO．10 2002年 10月 1087-- 1090页 ACTA METALLURGICA SINICA Oct． 2002 PP．1087—1090 磁场退火对 CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响 吴厚政 刘宜华 代由勇 张 林 萧淑琴 f山东大学物理与微电子学院，济南 250100) 摘 要 本文研究了磁场退火对 CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗 (GMI)效应的影响．样品在不同条件下进行了退火热处 理．结果表明，在 300℃下经横 向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性，从而得到了最大的 GM I效应．在 800kHz的交变 电流频率下，得到了236％的最大磁阻抗比．在低场下，材料的磁阻抗磁场灵敏度达到 1152％／mT． 关键词 巨磁阻抗效应，非晶态软磁钴基合金薄带，趋肤效应 中图法分类号 TG139 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2002)10—1087—04 INFLUEN CES 0F M AGNETIC FIELD ANNEALING 0N GIANT M AGNET0IM PEDANCE EFFECTS 0F CoFeNiNbSiB RIBBoNS W U Houzheng，LIU Yihua，DAIYouyong，ZHANG Lin，XIAO Shuqin DepartmentofPhysics，ShandongUniversity，Jinan 250100 Correspondent：WUHouzheng，Tel：(0531)8377032，Fax：(0531)8377031，E-mail：yhliu@sdu．edu．cn SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChinaNo M anuscriptreceived 2001—12—30．in revised form 2002—04一i0 ABSTRACT TheinfluencesofmagneticfieldannealingonGMIeffectsofCoFeNiNbSiB amorphous SOftmagneticribbonswerestudied．Thesampleswereannealed underdifferentconditions．Afterthe sampleswereannealed at300 ℃ in a transversemagneticfield．thebestSOftmagnetic properties andthemaximum GM Ieffecthaveobtained．Themaximum magnetoimpedanceratioiS236％ ata rfequencyof800kHz．ThemagneticfieldsensitivityoftheGMIiSaslargeas1152％／mTatlowfield． KEY W oRDS giantmagnetoimpedanceefrect．CObased amorphousSOftmagneticribbon．skin e仃ect 材料的交流阻抗随外加直流磁场的改变而变化的特 复杂的优 良软磁材料 用它有可能获得性能优 良的 · 性，称巨磁阻抗 fGMI)效应．产生GMI效应的主要原因 GMI效应．本文系统研究了磁场退火热处理对该材料 是高频电流的趋肤效应． 1992年 日本名古屋大学毛利 GMI效应的影响，获得了性能优良的结果．实验表明， 佳年雄等人首先在钴基软磁非晶细丝 中发现并报导了这 磁场退火热处理是在低磁场范围内获得高灵敏度 GMI效 一 现象 L1J．最初对这一效应研究最多的是具有零或负磁 应的有效手段． 致伸缩系数的钴基非晶态软磁合金细丝，近年来对 GMI