纳米压印多孔硅模板的研究.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．1(2014)018102 纳米压印多子L硅模板的研究水 张铮 )徐智谋 )十 孙堂友 )徐海峰) 陈存华2) 彭静3) 1)(华中科技大学光学与电子信息学院，武汉 430074) 2)(中师范大学化学学院，武汉 430079) 3)(武汉科技大学理学院，武汉 430081) (2013年 6月27日收51；2013年9月22日收到修改稿) 纳米压印模板通常采用极紫外光刻、聚焦离子束光刻和电子束光刻等传统光刻技术制备，成本较高．寻找 一 种简单、低成本的纳米压印模板制备方法以提升纳米压印光刻技术的应用成为研究的重点与难点．本文以 多孔氧化铝为母模板，采用纳米压印光刻技术对纳米多孔硅模板的制备进行了研究．在硅基表面成功制备出 纳米多孔阵列结构，孔间距为350—560nm，孔径在 170—480am，孔深为200nm．在激发波长为514nm时， 拉曼光谱的测试结果表明，相对于单面抛光的硅片，纳米多孔结构的硅模板拉曼光强有了约12倍左右的提升， 对提升硅基光电器件的应用具有重要的意义．最后，利用多孔硅模板作为纳米压印母模板，通过热压印技术， 成功制备出了聚合物纳米柱软模板． 关键词：纳米压印，阳极氧化铝，多孔硅，拉曼光谱 PACS：81．65．～b，85．40．Hp，78．67．一n，78．67．Rb DOI：10．7498／aps．63．018102 与传统模板制备方法相比，其制备工艺简单，易实 l 引 言 现而且成本极低．同时，其特征尺寸如孔径、孔深、 孔间距能通过改变实验条件很容易的进行调整，可 随着半导体工业的发展，半导体特征尺寸朝着 以为纳米压II]~II备周期结构提供模板．但是，由于 不断缩小的方 向发展，半导体制造技术也越来越赖 多孔氧化铝模板本身易脆导致其重复性较差，而且 于低成本的纳米尺寸图形转移技术．由于衍射极 通常多孔氧化铝表面平整性较差，直接用来作为纳 限的存在，光的波长势必将成为传统光刻技术的瓶 米压印的模板，效果往往较差．因此，实现多孔氧 颈．作为下一代光刻技术候选之一，纳米压印光刻 化铝的特征尺寸到硅片表面的转移，对于提高多孔 技术完全不依赖于传统光学，被认为是一种高分 氧化铝重复性 以及其在纳米压印中的应用具有较 辨、大产出、低成本的光刻技术 [i--3]．然而，纳米压 大的意义． 印的初始模板依赖于传统的聚焦离子刻蚀FIB和 电子束光刻等工艺 [4]，不仅工艺复杂，而且耗时较 Crouse等 9[】采用硅基表面蒸镀铝的方式，通 高，影响着纳米压印技术的潜在应用． 过阳极氧化后在硅表面形成AAO的掩膜，然后刻 自Masuda等 [5】在 1995提出阳极氧化铝fan— 蚀将AAO特征尺寸转移到硅的表面，形成多孔硅 odicaluminum oxide，AAO)制备方法后，多孔氧 的结构，这种方式往往 由于镀铝的厚度较薄，得到 化铝作为模板被用来制备各种纳米材料和光 电器 的AAO规整性较差，Aryal等 [10】则是选择二次氧 件 [6-8]．多孔氧化铝模板本身是一种