第四章半导体物理.pptx

2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;2016/10/17;ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 ;;因为电子带负电，所以vdn一般应和E反向，习惯上迁移率只取正值，即;3 半导体的电导率和迁移率;对n型半导体： ;;21;4.2 载流子的散射;;随机热运动; 为了具体描述散射对载流子运动特征的影响，引入平均自由程(λ，连续两次散射之间的平均路程)及平均自由时间(τ，连续两次散射之间的平均时间)的概念——统计平均;电离杂质库仑场;电离杂质浓度为Ni, 载流子速度为v,载流子能量为E : T↑，载流子的运动速度↑，散射几率↓； 杂质浓度↑，电离杂质数↑，散射中心↑，散射几率↑。;2016/10/17;晶格振动理论简要 晶格振动—晶体中的原子在其平衡位置附近作微振动.;;金刚石结构半导体晶体中沿[110]方向传播的格波的频率色散关系;电子受晶格振动散射——电子与声子散射 （格波） （吸收或释放一个声子）;单能谷半导体中，对电子起散射作用的主要是长波，即q≈0附近的波：;横声学波;平衡时;;A;平衡时;平衡时;长纵光学波;长纵光学波的散射几率：;等同能谷间的散射 中性杂质散射 位错散射 合金散射 载流子之间的散射; 等同能谷 硅的导带具有极值能量相同的六个旋转椭球等能面（锗有四个），载流子在这些能谷中分布相同。 谷间散射 对多能谷半导体，电子从一个极值附近散射到另一个极值附近。; 电子在一个能谷内部散射时，电子只与长波声子发生作用，波矢k的变化很小。 散射当电子与长声学波散射时，能量改变也很小，视为弹性散射； 与长光学波散射时，能量有较大的改变，散射为非弹性的。 当电子发生谷间散射时，电子准动量改变大，电子吸收或发射高能量短波声子，散射为非弹性的。;中性杂质散射：在温度很低时，未电离的杂质(中性杂质)的数目比电离杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低，晶格振动散射和电离杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散射作用 ;多元化合物半导体混合晶体中，两种同族原子相应位置的随机排列，对周期势场有微扰作用，引起对载流子的散射作用。 AlxGa1-xAs 为例 如果Al原子、Ga原子在Ⅲ族晶格位置上随机排列 In0.5Ga0.5As 为例 T=50K,电子浓度n=1×1014cm-3 In、Ga有序排列，μe=4×105cm2/(V·s) In、Ga无序排列，μe=5×104cm2/(V·s) ; 低温时，主要是电离杂质的散射 高温时，主要是晶格散射 原子晶体主要是纵声学波散射 离子晶体主要是纵光学波散射 各个散射机制往往同时存在，在一定的条件下，某一机制起主要作用 ;平均自由时间内获得的最大速度;则t~t+dt时间内被散射的电子数为：;其中;2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系;对一般半导体：;;;声学波散射：;总平均自由时间：;;Si、Ge元素半导体中电离杂质散射和纵声学波散射起主导作用，因此：;; 迁移率在低杂质浓度下达到一最大值，这与晶格散射所造成的限制相符合； 电子及空穴的迁移率皆随着杂质浓度的增加而减少，并于最后在高浓度下达到一个最小值； 电子的迁移率大于空穴的迁移率，而较大的电子迁移率主要是由于电子较小的有效质量所引起的。 ; 1、对于半导体材料，相同温度下，电子迁移率大于空穴迁移率 2、迁移率与杂质浓度有关，当半导体掺杂杂质时，电子迁移率与空穴迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大。 迁移率与导电类型无关，P型半导体中的空穴（多子）与N型半导体中的空穴（少子）在其他条件相同的情况下迁移率趋于相同 同理，N型半导体中的电子（多子）与P型半导体的电子（少子）在其他情况相同时，迁移率相同。;4.4 电阻率及其杂质浓度和温度的关系;杂质浓度增高达到1018以上时，电阻率的曲线偏离直线，杂质在室温下未全部电离，尤其是重掺杂情况下的简并半导体，杂质阻碍了电子的运动；迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。通过杂质浓度计算电阻率，测出电阻率可以检验材料的纯度。 高杂质浓度的补偿材料：电阻率高，高纯假象，不能反映杂质含量。;64;本征半导体：ni随温度的上升而急剧增加，而迁移率随T升高而下降较慢，所以本征半导体的电阻率随着温度