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超晶格、光子晶体及声子晶体 材料物理系 丁秉钧教授 May 25， 2005 一、晶体及其概念的延伸 1 原子或分子有序排列形成的晶体 在微观范围，原子有规律地排列形成的物质称为晶体，如天然或人工晶体。 晶体的结构可用晶体的几何理论――点阵理论来描述，共分为七大晶系，十四种布拉菲点阵。 晶体中原子、分子之间的作用力（键）有：离子键、共价键、金属键、氢键、范德华键。 一、晶体及其概念的延伸 2 1、原子或分子有序排列形成的晶体 可将用于微电子工业的天然或人工晶体称为电子晶体，或传统晶体，如半导体。半导体的原子势场呈周期性排列。 电子在半导体中传播时，电子与原子周期势场的相互作用（布拉格散射）使得电子会形成能带结构，如价带与导带，带与带之间有带隙，即 禁带。电子的能量如果落在带隙中，就无法继续传播。 一、晶体及其概念的延伸 3 2、介观或宏观物质有序排列形成的晶体 在介观范围：点阵由a)人造原子，如纳米粒子构成——人造原子组成的晶体；b)几个原子或纳米厚度的不同物质的薄膜交替排列——超晶格材料。 在宏观范围，人造复合材料组成的晶体： 光子晶体——由两种具有不同介电常数的介质组成的复合材料，阵点由通常为球、杆、板等。 声子晶体——由高密度材料，通常为球、杆等为阵点封密于柔软材料，如硅胶、树脂内组成的复合材料。 一、晶体及其概念的延伸 4 3、各种晶体的区别 点阵的组元和点阵常数不同： 电子晶体：微观的原子或分子； 超晶格等：介观的纳米颗粒或薄膜； 光子和声子晶体：宏观（或介观）的球、杆或板等。 成分不同： 电子晶体由一种材料构成； 超晶格和光子、声子晶体由两种或两种以上的材料构成，是复合材料。 二、超晶格材料——量子阱 1 结构 1969年Esaki（江畸）和Tsu（朱肇祥）提出了超晶格的概念。所谓超晶格是指两种或两种以上几个原子或纳米厚度的不同物质的薄膜交替叠合在一起形成的多周期的结构。 超晶格材料由于在两种交替生长的方向上引入了一个远大于原晶格常数的周期，而值又小于电子的德布罗意波的波长，这样，在原来周期性晶格势场上再加上这样一个人为引进的一维周期势场， 使原来的能带结构分离为许多由能隙分开的狭窄的亚能带，使电子的共振隧穿发生了很大的变化。在生长方向上原来边界为的布里渊区会分裂成边界为许多微小布里渊区。 二、超晶格材料——量子阱 2 1972年，张立刚等人利用分子束外延技术生长出100多个周期的AlGaAs/GaAs的超晶格材料，并在外加电场超过2V时观察到与理论计算基本一致的负阻效应，从而证实了理论上的预言，江崎因此获得1973年的诺贝尔物理奖。 二、超晶格材料——量子阱 3 半导体超晶格主要分为组分超晶格和掺杂超晶格两大类。图1是它们的结构和能带的示意图。图中Eg1和Eg2分别是窄禁带和宽禁带组分的禁带宽度，Ege是超晶格结构的有效禁带宽度。 图1(a)是两种组分超晶格结构示意图，构成超晶格的两种材料有不同的禁带宽度，按它们的能带差异分为图1（b）所示的I型超晶格和图1（c）所示的Ⅱ型超晶格。 二、超晶格材料——量子阱 4 组分超晶格是指在同一块单晶上生长的大量重复相间的薄层，通常是由两种不同材料在一个维度上层状排列的周期结构。其中，每层的厚度都很小，可和电子的德布罗意波长相比，因此其周期远小于电子非弹性散射的平均自由程。 二、超晶格材料——量子阱 5 如GaAs/AlxGa1-xAs超晶格就属于I型超晶格，窄带组分(GaAs，带宽Egl)的导带底和价带顶均位于宽带组分(AlxGa1-xAs，Eg2)的禁带中。这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中。 GaxIn1-xAs/GaAsxSb1-x属于Ⅱ型超晶格，结构中形成的电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中，因而电子和空穴在空间上是分离的。 超晶格中势垒的厚度也很小，相邻势阱中的电子可以互相藕合，因此原来在量子阱中分立的能量En将扩展成能带，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关。 二、超晶格材料——量子阱 6 掺杂超晶格是用同一种材料不同的掺杂层构成的周期结构，如GaAs由本征型i隔开n型和p型的层状周期排列结构和能带图，如图1(d)和(e)所示。 掺杂超晶格可视为大量pn结的重复，因其周期宽度比空间电荷区的宽度小得多，所以全部pn结都是耗尽的，p区和n区的总电荷数达到平衡。 与组分超晶格不同，掺杂超晶格能带的弯曲完全由势能引起，形成周期变化的空间电荷势。 改变掺杂的程度和各层的厚度，可以调节超晶格的能带结构和其他性质。 二、超晶格材料——量子阱 7 二、超晶格材料——量子阱 8 超晶格的布里渊区和亚带结构 用周期为a的晶体生长成周期为d的超晶格结构，由于d比a大很多，所以在倒易空间中，超晶格的周期比晶体的周期小很多。一维