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聚偏氟乙烯论文：介电常数蒙脱土钛酸铜钙多层复合薄膜 【提示】本文仅提供摘要、关键词、篇名、目录等题录内容。为中国学术资源库知识代理，不涉版权。作者如有疑义，请联系版权单位或学校。 【摘要】微电子产品的飞速发展，对嵌入式的无源元件要求越来越高，尤其是嵌入式电容器。有机聚合物材料具有密度低、柔韧性好及易加工特点，研究其介电性能对聚合物材料应用于电容器具有重要意义。众多聚合物中，聚偏氟乙烯（PVDF）的介电性能非常优越，其介电常数达到6~8，介质损耗角正切约0.04~0.2，在薄膜电容领域具有很大的研究和应用价值。本文选用了有机纳米蒙脱土（OMMT）对PVDF进行熔融共混改性，利用熔融共混和模压的方法制备了PVDF/OMMT纳米复合材料，同时用OMMT对偏氟乙烯-六氟丙烯（P（VDF-HFP））熔融共混改性制备了P（VDF-HFP）/OMMT纳米复合材料；使用高介电常数的钛酸铜钙（CCTO）对PVDF进行熔融共混改性制备了PVDF/CCTO复合材料，并利用模压方法制备了PVDF与PVDF/CCTO复合材料的多层复合薄膜。研究了材料的介电性能和电击穿性能等，利用傅立叶红外光谱（FTIR）、差示扫描分析（DSC）和X射线衍射分析（XRD）等对材料进行了分析表征。研究结果表明：200℃的熔融共混温度为最佳的蒙脱土与聚偏氟乙烯熔融共混温度；蒙脱土的含量为3wt%的PVDF/OMMT纳米复合材料的介电性能最优；蒙脱土含量为2wt%的P（VDF-HFP）/OMMT纳米复合材料的介电常数最高；高介电常数陶瓷粉体CCTO与PVDF熔融共混可以提高PVDF的介电常数，且介电常数随着CCTO含量的增加而增大，但材料的介电损耗也随之增大；PVDF与PVDF/CCTO复合材料复合的多层复合薄膜的电击穿强度优于PVDF/CCTO复合材料的，且随着复合层数的增加而提高；经OMMT和CCTO改性后的聚偏氟乙烯的α型晶体减少，促进其β型晶体形成，且熔融温度和结晶温度均有不同程度提高。 【关键词】聚偏氟乙烯；介电常数；蒙脱土；钛酸铜钙；多层复合薄膜； 【篇名】聚偏氟乙烯复合材料介电性能研究 【目录】聚偏氟乙烯复合材料介电性能研究 摘要 5-6 Abstract 6 第1章 绪论 10-18 1.1 课题背景 10-11 1.2 聚偏氟乙烯概述 11-12 1.3 聚偏氟乙烯/蒙脱土复合材料 12-14 1.4 聚合物/陶瓷高介电常数复合材料 14-15 1.5 微纳多层功能复合材料概述 15-16 1.6 本文研究内容和意义 16-18 第2章 实验部分 18-25 2.1 主要原料 18 2.2 实验及性能测试仪器 18-19 2.3 性能测试和分析方法 19-25 2.3.1 介电常数和介电损耗测试 19-20 2.3.2 电击穿强度测试 20-21 2.3.3 力学性能测试 21-22 2.3.4 电阻率测试 22-23 2.3.5 熔体质量流动速率测试 23 2.3.6 X 射线衍射分析 23 2.3.7 傅立叶红外光谱分析(FTIR) 23-24 2.3.8 热分析 24 2.3.9 偏光显微镜观察 24-25 第3章 PVDF/OMMT 纳米复合材料 25-45 3.1 PVDF/OMMT 纳米复合材料的制备 25 3.1.1 原料选择 25 3.1.2 PVDF/OMMT 纳米复合材料的制备工艺 25 3.2 加工温度对 PVDF/OMMT 纳米复合材料性能的影响 25-31 3.2.1 性能分析 26-29 3.2.2 测试分析 29-31 3.3 蒙脱土对 PVDF/OMMT 纳米复合材料性能的影响 31-43 3.3.1 性能分析 31-36 3.3.2 测试分析 36-43 3.5 本章小结 43-45 第4章 P(VDF-HFP)/OMMT 纳米复合材料 45-57 4.1 P(VDF-HFP)/OMMT 纳米复合材料的制备 45 4.2 蒙脱土对 P(VDF-HFP)/OMMT 纳米复合材料性能的影响 45-56 4.2.1 性能分析 45-50 4.2.2 测试分析 50-56 4.3 本章小结 56-57 第5章 PVDF/CCTO 复合材料制备与表征 57-67 5.1 PVDF/CCTO 复合材料制备 57 5.2 PVDF/CCTO 复合材料性能测试与分析 57-62 5.2.1 性能分析 57-60 5.2.2 测试分析 60-62 5.3 PVDF/CCTO 多层复合薄膜材料 62-65 5.3.1 PVDF/CCTO 多层复合薄膜材料的制备 62-63 5.3.2 PVDF/CCTO 多层复合薄膜材料性能分析 63-65 5.4 本章小结 65-67 结论 67-68 参考文献 68-73 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主