第3章逻辑门电路.(恢复).pptVIP

关于有源泻放的说明： 当T2由截止变为导通的瞬间，由于T6的基极回路中串接了电阻RB，所以T5必然先于T6导通，使T2发射极的电流全部流入T5的基极，从而加速了T5的导通过程。而在稳态下，由于T6导通后产生的分流作用，减少了T5的基极电流，也就减轻了T5的饱和程度，这又有利于加快T5从导通变为截止的过程。 当T2从导通变为截止后，因为T6仍处于导通状态，为T5的基极提供了一个瞬间的低内阻泻放回路，使T5得以迅速截止。因此，有源泻放回路的存在缩短了门电路的传输时间。 抗饱和电路带来的缺点：输出低电平增高。 三、74LS系列——低功耗肖特基系列（CT4000） 图3.5.42 74LS系列与非门 (74LS 00)的电路结构 1、为了降低功耗大幅度提高了电路中个电阻的阻值； 改进措施： 2、将R5原来接地一端改接到输出端，以减小T3导通时，R5上的功耗。 （74LS系列的功耗仅为74系列的五分之一，74H系列的十分之一） 3、为了缩短传输延迟时间，除了使用抗饱和三极管和有源泻放外，还将多发射三极管换成了SBD，因为SBD没有电荷存储效应。 四、74AS和74ALS系列 74AS系列是为进一步缩短传输延迟时间而设计的改进系列。它的电路结构与74LS系列相似，但电路中电阻阻值很低。它的缺点是功耗较大，比74S略大一些。 74ALS系列是为了获得更小的延迟—功耗积而改进设计的，它的延迟—功耗积是TTL电路所有系列中最小的。为了降低功耗，电路中采用了较大的电阻阻值，同时，通过改进生产工艺缩小了内部各个器件的尺寸，获得了降低功耗和缩短延迟时间的双重收效。 五、54、54H、54LS系列 54系列的TTL电路和74系列电路具有完全相同的电路结构和电气性能参数。所不同的是54系列比74系列的工作温度范围更宽，电源允许的工作范围更大。 74系列的工作环境温度规定0~70℃，电源电压为5V±5%；而54系列工作环境温度规定-55~+125℃，电源电压为5V ±10% 在不同系列的TTL器件中，只要器件型号的后几位数码一样，则它们的逻辑功能、外形尺寸、引脚排列就完全相同。 表3.5.1各种系列TTL电路（74XX00）特性参数比较（P138） 20 20 20 20 50 40μA IIH（max） 12 4.8 13.6 19 57 90 延迟功耗积 4 1.2 8 2 19 10mW 功耗 3 4 1.7 9.5 3 9ns tpd -1.0 -0.4 -2.0 -0.4 -1.0 -0.4mA IOH（max） 20 8 20 8 20 16mA IOL（max） -0.6 -0.2 -0.5 -0.4 -2.0 -1.0mA IIL（max） 2.7 2.7 2.7 2.7 2.7 2.4V VOH（min） 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0V VIH（min） 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.4V VOL（max） 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8V VIL（max） 74F 74ALS 74AS 74LS 74S 74 系列 参数名称 §3.3 CMOS门电路 MOS电路的特点： 2. 是电压控制元件，静态功耗小。 3. 允许电源电压范围宽（3?18V）。 4. 扇出系数大，抗噪声容限大。 优点 1. 工艺简单，集成度高。 缺点：工作速度比TTL低 。 3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor）管的结构 图3.3.1 （N沟道增强型） MOS管的结构和符号 D G S 简化符号 标准符号 二、MOS管的输出特性与转移特性 图3.3.2 NMOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 图3.3.3 NMOS管的转移特性 RON︱vDS=0= 1 2K（vGS-VGS（th）） 式中IDS是vGS=2VGS（th）时的iD值 上式表明，在vGS大大于VGS（th）时，RON近似与vGS成反比。 三、MOS管的基本开关电路(NMOS反相器） 图3.3.4 MOS管的基本开关电路 图3.3.5 MOS管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)导通状态 四、 MOS管的开关等效电路 由于ROFF非常大，截止状态等效为开关断开；而RON约在1K?以内，且与vGS的数值有关，有时这个电阻阻值不能忽略，故在图中用RON表示。 图中CI代表栅极的输入电容，数值约为几皮法。 图3.3.6