Ge阵列探测器-堪培拉公司.PDF

Ge 阵列探测器 引言 来自回旋加速器放射源的宽 X 带 射线流已经重新复活了相 X 对陈旧的实验技术，即 射线 X 吸收谱学。 射线吸收谱学象 人们更熟悉的红外和紫外技 X 术一样，测量 射线束流通过 X 样品的湮灭。典型的 射线能 300ev 30keV (形式地表示典型的X射线吸收谱。边缘或XANES区域延伸到25-50 量是 到 量级，可 2 3ev eV，EXAFS一般在几百个1000eV上可以观察到。) 视光为 － ，红外光能量为 0.05-0.5ev X 。高能 射线吸收 发射涉及核心电子，只受到化 离散整理探测器 学变化中的价键电子微小的 CANBERRA 生产的大多数x-射线阵列探测器是利用离散的 干扰，因此，每个元素是以吸 LEGe 或 Ultra-LEGe 探测器部件与复位前置放大器耦合 收边界为特征的，吸收边界足 构成的。由于涉及高计数率，这一应用中无例外地使用集成 以说明核心电子的具体类型。 的晶体管复位前置放大器(I-TRP)。 由于吸收边界能量一般分得 离散部件探测器充分利用LEGe 和 Ultra-LEGe 探测器的 X 性能特征，特别是短脉冲处理（成形）时间的能量分辨率。 很开， 射线吸收能够很好地 测量环境中从碳到超铀范围 这些探测器操作得非常好、成形时间常数为1/8μs 和 up。 内任何元素。下图是一个一般 Ultra-LEGe 探测器把稳定能量范围向下延伸到300eV 左 X 右，具体依赖于低温恒温器窗口。由于难以处理大量探测器 的 射线吸收谱。 Canberra是开发和生产锗阵列 部件，离散的阵列探测器限于大约 3 个通道。 探测器的领先厂商。本资料将 单片阵列探测器 概要地介绍Canberra的能力和 CANBERRA 现在有能力使用先进的照相平板印刷技术构 产品。 建分段平面 Ge 探测器。这一技术可用于生产像素探测器、 其中在一片Ge内形成多个部件。单片阵列探测器提供比离散 的阵列探测器更高的包装密度。这一包装密度定义为阵列包 离散或单片阵列探测器两者都 围的总区域除以活动的探测器区域。由于部件之间没有死空 来自NBERRA。 间，单片探测器实际上有100% 的包装密度。离散的阵列探 测器包装密度范围大约在35 到 55%之间。包装密度在需要 优化的立体角和最佳地适应探测区域的应用中是一个重要 因素。 1 Ge 阵列探测器 由于单个加工件相对地容易处理，单片探测器 阵列探测器的例子 可以利用大量像素或通道来构建。对4 到 100 下面是几个有不同配置、部件数和阵列图式的阵列探测器的 个通道的多部件探测器，需要好的能量分辨率 照片。这些设计中有几个已经标准化，生产了若干数量。我 和最佳的包装比。该分辨率非常接近于一个离 们鼓励新客户选择现有设计之