MOS场效电晶体.PDF

Chapter 3 場效電晶體(The Field-Effect Transistor) 3.1 MOS 場效電晶體 Southern Taiwan University 1 1. 二端子的MOS 結構 如圖3.1.1 所示，當外加電壓上升，電場上升，基板內的負電荷也會跟著上 升，便會在半導體中形成一個帶負電(少數載子)的空間電荷區(Space-charge Region) ，亦可稱為電子反轉層(Electron Inversion Layer) ，此區塊的電子數量由外 加電壓V 決定。 若將半導體材質改為n-type ，外加電壓V 改為負電壓，亦可產生此情形，不 過此產生電洞的區域，稱之為電洞反轉層(Hole Inversion Layer) 。 2. 理想的MOSFET 電流-電壓特性 Southern Taiwan University 當V 改變，i -V 曲線也會跟著改變，如圖3.1.2 所示，曲線的斜率隨著V 增 GS D DS GS 加而增加。 2 表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET ，各種狀態下的電流電壓公式。 μn×C ×W K 稱為導電參數(Conduction Parameter)= ox ，W:通道寬度、L:通道長 n 2×L 度、COX:單位面積的氧化層電容、μ :反轉層電子的移動率。 n VTN:門檻電壓(Threshold Voltage) ，產生與原來多數載子相同濃度之反轉電荷所需 的外加閘極電壓以VTN記之。 3. 電路符號與慣用表示 圖3.1.3 P 通道增強型MOSFET (a)常用電路，垂直虛線表示通道為增強型(需 給予外加電壓) ，箭頭方向為電晶體的形式，此圖為P 通道元件，從圖中了解 MOSFET 為四端點結構元件。(b)簡化電路(c)進階簡化電路 Southern Taiwan University 3 圖3.1.4 N 通道增強型MOSFET (a)常用電路，垂直虛線表示通道為增強型(需 給予外加電壓) ，箭頭方向為電晶體的形式，此圖為N 通道元件，從圖中了解 MOSFET 為四端點結構元件。(b)簡化電路(c)進階簡化電路 4. 非理想的電流-電壓 特性 (a)有效的輸出電阻 當MOSFET 在飽和區 時，iD與VDS無關，但事實 上，MOSFET 的曲線斜率 並不為零。當V V DS DS(SAT) 時，反轉層密度變成零的 位置，電流由D 端到S 端， 因等效的通道長度減少， 而產生通道長度調變 (Channel Length Modulation) ，此特性曲線類似BJT 的厄利效應(Early Effect) 。 對N 通道元件，i -V 特性可由公式i = k [(V −V )2(1 + λV )]做修正， D DS D n GS TN DS 其中λ為正值，稱為通道長度調變參數(Channel-Length Modulation Parameter) ， 此參數與V 有關。 Southern Taiwan University A (b)本體效應(Body Effect) 假如將兩個N 通道的MOSFET 串接在一起，P 型基板為兩個電晶體共同使 用，此時VDS1≠0 ，所以VSB2≠0 ，M2 的S 端等於接地。 M1