第六章 存储器及可编程逻辑器件.pptVIP

（3）写标准与或表达式 Y7=m12+m13+m14+m15 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y3=m3+m5+m11+m13 Y2=m2+m6+m10+m14 Y1=0 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 3．构成字符发生器 字符发生器常用于显示、打印及其它数字装置，用ROM构成字符发生器的原理是将所需字符点阵预先存储在ROM存储矩阵中，再按地址码逐行输出字符点阵的信息，并送入显示器显示。 常用字符发生器有9×7，7×7和7×5等几种。图6.13表示用ROM构成字母“R”的字符发生器原理。采用7×5显示。 当输入地址由000～110周期变化时，即可逐行扫描各字线，从而显示“R”的字形。 6.3 可编程逻辑器件（PLD） 可编程逻辑器件（PLD，Programmable Logic Device）是20世纪末蓬勃发展起来的新型半导体通用集成电路。它是指可以由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。现代数字系统，越来越多地采用PLD来构成，这大大简化了系统设计和电路结构，从而提高了电路的可靠性并降低电路成本。PLD技术从一个方面反映了电子技术的发展。 1．PLD的结构框图 PLD的结构框图如图6.14所示，其核心部分是两个逻辑门阵列（与阵列和或阵列），有的PLD内部还有反馈电路，以方便构成时序电路。 2．PLD中逻辑电路的画法 图6.15给出了PLD中常见连接线及逻辑门的画法。圆点表示 “固化” 连接点；图中的“×”点也表示两线相连，是可编程点。 图6.14 PLD采用的逻辑符号 6.3.1 可编程只读存储器 一．可编程只读存储器的分类 图6.14 PLD采用的逻辑符号 1．一次性编程只读存储器（PROM） PROM即一次性可编程ROM。PROM在出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改写为0（或1）。PROM一旦进行了编程，就不能再修改了。 2．光可擦除可编程ROM（EPROM） EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存储是通过MOS管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但是， EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存储是通过MOS管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但是，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄漏，因此电荷分布维持不变，EPROM也就成为非易失性存储器件了。 当外部能源（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷分布才会被破坏，此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄漏掉，使电路恢复到初始状态，从而擦除了所有写入的信息。这样EPROM又可以写入新的信息。 3．电可擦除可编程ROM（E2PROM） E2PROM也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，隧道MOS管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧道MOS管是用电擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。 E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目前，大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。 4．快闪存储器（Flash Memory） 快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，需要输入一个较高的电压，因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为200微秒，一般一只芯片可以擦除/写入100次以上。 ? 二．PROM的结构及原理 1．PROM中的存储元 PROM的存储元如图6.15（a）所示，可以有二极管、三极管或MOS管组成。 图中每个管子中均串有快速熔丝，当熔丝完好时，对二极管、三极管组成的PROM存储元，该单元中内容为“1”，而MOS管组成PROM存储元中为“0”。在编程时是将其中的某些快速熔丝烧断来改变存储内容的，因而只能进行一次编程，称一次编程只读存储器（PROM）。 2．PROM的结构 PROM的结构与ROM基本相同，不同的是其或阵列可以由用户进行编程。与阵列产生输入