提高大功率LED灯珠耐温性能的实验探讨.docVIP

提高大功率LED灯珠耐温性能的实验探讨.doc

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基于提高大功率LED灯珠耐温性能的实验探讨 文章来至于统佳 统佳官方网站 半导体照明是本世纪一场技术革命,从技术成熟角度看它还是个婴儿,虽然LED大功率白光技术发展很快,然而大功率LED灯珠光衰、散热、成本这三个与生俱来的痼疾仍然是LED照明普及发展的拦路虎。大功率LED灯珠光衰、散热贯穿了从芯片制造、封装制程、材料选择、灯具开发整个产业链,目前业界对光衰的概念、产生的原因以及如何解决还认识不足,理论尚无权威解释,国家相关标准难以出台,以致出现人云亦云、你抄我搬稀奇古怪的技术乱象,长期以来人们拼命围绕用散热方法来减少大功率LED灯珠光衰,然而见效甚微。解决大功率LED灯珠光衰成为业界共同关心、翘首以待的技术难题,人们不禁要问:设计师为何不另辟蹊径从源头深入寻找大功率LED灯珠光衰原因?笔者对提高大功率LED灯珠的耐温特性可减少大功率LED灯珠光衰从理论和实践进行了深入探讨,将陆续推出相关文章和实验报告。 目录   第一章   一、 LED光效:区分瞬态光效和稳态光效的意义   二、 LED热阻:区分光源內部热阻和光源外部热阻的意义   三、 大功率LED灯珠光衰:光衰是光源部件超过耐温极限不可逆的损伤现象。   第二章   一、提高大功率LED灯珠的耐温特性可减少大功率LED灯珠光衰   二、为何要提高大功率LED灯珠的耐温度特性   三、如何让大功率LED灯珠耐受高温   第三章   一、倒装芯片无封装技术   二、集成COB封装技术   三、驱动电源技术   第四章   介绍一种WFCOB光源   第五章   介绍一种LED模组照明灯   第三章   一、倒装芯片无封装技术   近来,倒装芯片、无封装技术在业界引起广泛热议,因为传统正装工艺遇到散热、光衰等技瓶颈 。 倒装芯片、无封装技术早在10年前国外各大公司投巨资研究,旨在免用衬底胶、晶粒直焊技术,不仅可以有效降低封装热阻,还彻底免除了正装芯片在表面打线诸多弊端,让光源耐受高温、延长LED使用寿命。业界普遍认为这绝对是封装领域的前沿技术。但是人们要问:经过这多年研究实验,为何倒装技术迟迟不能取代正装芯片技术而成为主流?其根本原因是:倒装工艺不仅依赖陶瓷基板,还要依赖铝 (铜)基板,陶瓷基板加工成型和安装却都不如金属基板简单方便,由于(两次)过锡焊要经受280度高温,难免对材料和部件造成损伤。陶瓷基板和金属基板相比反光率不高,瞬态光效难以提高,陶瓷基板的导热率和芯片接触面积有限也限制了其稳态光效难以提高。倒装工艺两次过锡焊和陶瓷基板 +铝基板双重热阻足以将上述优势抵消怠尽。另外,倒装工艺的热压焊、回流焊等设备要求极高,良率不稳。从终端用户的角度分析,一款好的LED器应具有更佳照明品质,更高照明性能、更低系统成本以及更快的投资回报。考验倒装技术未来前途还是(LM\元)值。品质第一,价格为王,所以造成了用户观望,产品推广困难的尴尬局面。   二、集成COB封装技术   从某种意义讲,LED封装核心技术应该是封装支架研发和制造技术,它决定大功率LED灯珠的用途、功能及性价比。有实力的公司都在努力寻求利用封装支架解决LED的散热、光效、寿命、成本这一课题。   COB封装与单芯片封装相比在光强、散热、配光、成本等方面显露出许多优点,被越来越多的人认为是未来LED发展方向。目前传统的COB光源是支架是用铝(或铜)基板将FR4纤维板经过压合工艺成为一体。国产 FR-4 半固化片,导热系数仅为0.3/m-K,进口最好的只有2.0 /m-K左右,而纯铝导热系数为237 /m-K, 两者相差一百多倍,如此大的热耗比,必然增大系统热阻,造成严重的大功率LED灯珠光衰,降低使用寿命,于是人们绞尽脑汁设法革除铝基板这层绝缘纤维,然至今尚无找到有效方法,如一些大公司设计了所谓“LMCOB支架”(在铝基板挖凹去掉铜皮和绝缘层) ,然而限于设备、凝胶、工艺及成本等原因,尚未推广普及。还有,目前市场广为流行所谓“集成光源”支架,采用注塑料工艺将电极板镶嵌在PPA(或目前正在推崇的EMC)塑料之中,由于PPA在高温和紫外线照射下会变黄粉化,造成透气进水,产品失效率很高,这种结构因电极板高于芯片1.5mm,其荧光粉和凝胶用量很大, 不仅会增加封装成本,胶体过厚也会影响透光,还会硬化龟裂拉断金线。目前所有COB支架毫无例外都要设围坝结构,以阻挡荧光混合胶不使其外溢, 由于围坝胶和表层白油吸光,不能实现光源镜面光反射,以上多种原因都会影响出光强度和传热受阻,这是造成传统COB光源的瞬态光效和稳态光效难以提高的主要原因。   三、驱动电源技术   1.集成光源基板和铝基板完全没必要做到3750V耐压   在LED系统设计中,最常见的问题是如何选择驱动电源,而实际上LED失效或损坏,驱

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