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梯度残余应力下多层膜结构的弹性变形——董 健 蒋 恒 梯度残余应力下多层膜结构的弹性变形 董 健 蒋 恒 浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术浙江省重点实验室，杭州，310014 摘要：提 出了一类Stoney延伸公式来表征多层 MEMS膜 结构的 曲率和其各层膜 内沿厚度任意分 布的残余应力之间的关系。推导 出三层结构下的Stoney延伸公式，并利用它解决 了残余应力沿厚度方 向梯度分布的三层悬臂梁结构 的变形问题 。制造 了一个 si。N ／pSi／Si三层悬臂梁微结构 ，并测得其 弯曲曲率，在 p硅层残余应力梯度分布和均匀分布两种情况下分别对该结构进行 了仿真和解析计算。 结果表明：所提 出的Stoney延伸公式能比较准确地表征多层膜结构的弹性变形和其各层膜 内任意分布 的残余应力之间的关系；用平均残余应力代替实际的梯度残余应力，会对结构变形的预测带来更大的 误 差 。 关键词 ：Stoney延伸公式 ；微机电系统 ；梯度残余应力 ；多层膜结构 ；弹性变形 ；三层悬臂梁 中图分类号 ：O484．5 DOI：10．3969／j．issn．1004—132X．2014．14．005 GradientResidualStressInducedElasticDefor·mationofM uitilayerStructures DongJian JiangHeng ZhejiangProvineialKeyLaboratoryofSpecialPurposeEquipmentandAdvanced ManufacturingTechnology，ZhejiangUniversityofTechnology，Hangzhou，310014 Abstract：A kindofStoneyextendedformulawasproposedtocharacterizetherelationamongthe deformationofthemultilayerstructuresandthegradientresidualstressineachlayers．TheStoneyex— tendedformulaoftrilayerstructureswasdeducedherein，whichwasusedtoarriveatthesolutionsfor atrilayercantileverwithgradientresidualstressdistributionsthroughoutthethickness．A Si3N4／p si／Simultilayercantileverstructurewasfabricatedandthemeasurementofitsbendingcurvaturewas alsoconducted．AnalyticalcalculationandfiniteelementsimulationwerecarriedoutconsideringaP Si layerwithgradientresidualstressandmeanresidualstress，respectively．Thepresentedresultsherein show thatthisapproachiSaprecisewaytOcharacterizetherelationbetweentheelasticdeformationof multilayerMEM S structuresand arbitraryresidualstressdistributionsthroughoutthethicknessin eachlayer．Theresultsalsoshow thattherewillbealargerdeviationofdisplacementifthegradient residualstressisreplacedbymeanresidualstress． Keywords：Stoney extendedformula；micro—electromechanicalsystem (MEM S)；gradientresidual stress；multilayerstructure；elasticdeformation；trilayercantilever 0 引言