半导体器件单粒子效应加速器模拟实验.pdfVIP

　第 14 卷　第 1 期 强 激 光 与 粒 子 束 . 14, . 1　 V o l N o 　2002 年 1 月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Jan. , 2002　 文章编号: (2002) 半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验 贺朝会, 　耿　斌, 　杨海亮, 　陈晓华, 　张正选, 　李国政 ( 西北核技术研究所, 陕西 西安 710024) 　　摘　要: 　着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法 可以降低加速器束流几个量级, 从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量 系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储 器的质子单粒子翻转截面为 10- 14 2 · - 1 量级, 单粒子翻转重离子 阈值为 4～ 8 · 2 cm bit L ET M eV cm , 重离子单粒子翻转饱和截面为 10- 7 2 · - 1 量级。 m g cm bit 　　关键词: 　加速器; 　质子; 　重离子; 　单粒子效应; 　半导体器件 　　中图分类号: 　 501　　　　文献标识码: 　 TL A 　　空间辐射环境中的带电粒子会导致航天器电子系统中的半导体器件发生单粒子效应[ 1～ 3 ] , 严重影 响航天器的可靠性和寿命。高能质子是导致单粒子效应的主要因素, 重离子次之。对于有的轨道, 如高 轨道和地球同步轨道, 重离子是主要的。因此, 必须开展高能质子和重离子单粒子效应实验, 研究其单粒 子效应规律, 建立单粒子效应地面模拟手段。用于单粒子效应地面模拟的设备主要是加速器[ 4～ 6 ] 。国内 可以用来开展单粒子效应实验研究的加速器不多, 主要原因是粒子束流太强, 能量较低; 并且没有适于 做单粒子效应实验的装置和设备, 需要开发和研制, 特别是高能质子单粒子效应实验。我们分别在中国 科学院高能物理所的35 质子直线加速器和中国原子能研究院的2 ×12 串列加速器上, 利用散 M eV M V 射方法降低粒子束流强度, 研制新的测量系统, 采用合理的测量方法, 准确测量入射离子注量, 进行了单 [ 7 ] 粒子效应实验, 得到了满意的结果 。 1　实验方法 1. 1　质子单粒子效应实验 　　实验是在中国科学院高能物理所 35 质子直线加速器上进行的。提供的质子束流, 平均流强在 M eV A 量级, 大于单粒子效应所需束流强度 5～ 6 个量级。因此, 首要问题是减弱束流。 1. 1. 1　金箔散射法 　　采用金箔散射法降低束流, 既可以成量级地减弱束流, 又能充分利用束流。根据卢瑟福散射理论, 计 算了不同流强的质子束入射在不同厚度的金靶上, 在不同散射角度下, 不同距离上的散射质子束强度。 根据预估的单粒子翻转截面和满足统计误差要求的翻转数, 选取 150 2 厚的金箔做靶, 在 30 °散射