chapt5-2-清华大学半导体物理概要1.pptVIP

低温弱电离，EFEr，n0n1p1p0 寿命随温度变化关系 n型Ge，Er Ei ，小注入 lnτ～1/T 关系。 T↑，rp↓，τ↑ 小注入： (5.97) 强电离且本征激发可忽略，EF Er， n1n0p0p1 n0饱和，忽略rp?T 变化，τ? n1 T↑，τ↑ (5.97) 小注入： * 考虑强n型半导体，表面光注入，x=0处Δn=Δp，体内δG=0，样品厚度d足够厚，求稳态过剩载流子分布（DnDp，E内建为+x方向）。 对于强杂质型半导体，过剩载流子的分布完全由少子的扩散和漂移决定，本题只需求解双极输运方程： 稳态：? ?p / ? t = 0； 强n型：D*=Dp、μ*=μp；体内δG=0。 5.2.4 扩散长度和牵引长度（两个稳态问题的例子） (5.49) 考虑弱场情形，忽略漂移项， (5.49)式变成： 边界条件: x=0，Δp=(Δp)0 ；x = ，Δp = 0 得： A=0，B= (Δp)0 (5.50)式称为扩散方程。一般解 (5.50) (5.51) 稳态分布: 扩散长度 (5.53) 定义 Ln、Lp的物理意义：可以证明，Ln、Lp代表了少子单纯依靠扩散在其被复合之前在半导体中的平均透入深度。 过剩载流子分布指数衰减，衰减常数Lp称为空穴扩散长度。同理， Ln电子扩散长度 (5.51) 稳态分布： 少子扩散流 Jp 为： vdp称为空穴扩散速度 同理可定义 vdn称为电子扩散速度 (5.53) 由(5.53)式 式中 (5.55)式表明扩散可视为过剩载流子以速度vd运动的结果。 (5.55) 其中?1 、 ?2为方程 的两个根。令： 牵引长度 考虑电场不能忽略且为常数的情形，直接求解(5.49)式： (5.49) 一般解 即方程 (5.58) (5.58)式写成 (5.58)? ?1取“+”，?10；?2取“?”，?20； ?1、?2取决于电场。 将 ?1、?2 代入一般解 (5.58)? 边界条件：x = 0 ，Δp = (Δp)0；x = d ，Δp = 0 得： A=0，B= (Δp)0 稳态分布 （?20） (5.59) 过剩载流子分布指数衰减，衰减常数为1/ ?2 。 Ln(E)称为电子牵引长度 强场 Lp(E)称为空穴牵引长度 Lp(E)的物理意义： Lp(E)代表过剩空穴在其寿命期间向体内漂移的平均距离 单纯漂移 弱场 单纯扩散 5.2.6 表面复合速度 表面处周期场中断以及存在表面缺陷，会在表面处的禁带中形成电子态(能级)又称表面态（能级）。 位于禁带中央附近的表面态，起复合中心的作用。 表面处除了具有与体内一样的复合，还有表面复合，载流子在表面处的复合率比体内大得多。 即使均匀体注入，由于表面复合，过剩载流子的分布也是不均匀的。 表面处过剩载流子浓度低于体内，过剩载流子将流向表面,在表面被复合。 E EC EV x 0 稳态：流向表面的粒子流密度＝表面复合率，即单位时间、通过单位表面积复合掉的过剩载流子数。 为流向表面的粒子流密度。 为表面处的单位法线矢量； 或 、 表面复合率即单位时间、通过单位表面积复合掉的过剩载流子数。 实验表明 引入比例系数 S S 具有速度量纲 ，称为表面复合速度。如同 (Δn)0 或 (Δp)0 以速度S流出表面。 S 的大小取决与表面加工工艺、表面沾污等 实验表明 存在表面复合时，过剩载流子的寿命由体内复合和表面复合共同决定，用τeff 表示 F是一个与样品几何形状有关的量 S大、样品薄， S 越大，d 越小， τeff 越小 S小、体积大、均匀注入，F=0， §5.3 复合过程与寿命计算 介绍半导体中主要的复合机构和各种复合机构所决定的寿命的计算。 复合过程可分两大类： 带间复合 （图5.8） (a)带间直接复合；(b)、(c)带间俄歇复合。 通过复合中心复合 (间接复合) （图5.9） 复合中心是杂质或缺陷能级，用Er表示。 5.3.1 带间直接复合 假定复合率R∝np，引入比例系数 r R = rnp r 称为复合系数（与n、p无关） 热平衡: G0 = R0 = rn0p0 若Δn =Δp，则过剩载流子的净复合率： U = R ? G0 = r ( np ? n0p0 ) = r ( n0 + p0 +Δp )Δp 由 Un=Δn /?n， Up=Δp /?p， 得 (5.