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第六节 晶体硅太阳能电池的制备工艺和检测 简单介绍晶体硅太阳能电池的制备工艺，使同学们对太阳能电池的组成有一个更清晰的了解。我国是世界上最大的晶体硅太阳能电池生产国，大部分材料和设备都可以国产化，但目前国产设备明显在质量上不如国外产品。大规模生产的晶体硅太阳能电池的工艺技术处于世界领先水平。 太阳能电池的产业链包括以下几个组成部分： 硅材料（太阳能级多晶硅）； 单晶硅拉棒（p掺杂）、多晶硅铸锭（p掺杂）、切片等 电池片（这个就是常说的太阳能电池企业）、 组件 还有其他附属产业：电极银浆、电极铝浆、焊带、太阳能电池背板、接线盒、铝框、太阳能电缆等等都具有独立的生产企业，还有各种电池生产和检测设备，例如清洗、扩散、镀膜、印刷、烧结、测试等设备。 一、制备工艺流程 太阳能电池制备工艺流程是从切片后的p型基片开始的，进入生产线后先验片，将不好的硅片挑出来，或者根据硅片外观分为A级片或B级片，便于出厂产品质量管理。电池制备主要包括下列步骤，大致分为6大工序。 （一）清洗和制绒 晶体硅电池工艺分为单晶硅电池工艺和多晶硅电池工艺，它们大体上相同，最大的不同在于第一步的清洗制绒。单晶硅各向异性，采用强碱氢氧化钠(NaOH)腐蚀制绒，而多晶硅是各向同性，采用强酸硝酸和氢氟酸(HNO3+HF)腐蚀制绒。 既然制绒是一个刻蚀硅的过程，因此制绒过程也就兼具了清洗的作用。在刻蚀的同时，去除硅片表面的机械损伤层，清除表面油污和金属杂质。 多晶硅的绒面形成效果较差，制绒是否成功不能单以反射率最低为判断标准，实际上反射率很低的多孔硅，由于表面空洞过多，造成表面态过多，同电极的接触变差，大幅度降低了光电转换效率。 单晶硅制绒后用酸清洗（HF和HCl），多晶硅制绒后用碱溶液清洗。最后纯水洗净甩干。（二）扩散形成PN结 该工序的目的是在p型硅片的表面扩散(diffusion)一薄层磷，以形成0.1-0.3微米左右深度的pn结。扩散分为链式扩散和管式扩散，前者产量大、自动化程度高但质量控制不佳，现在大多采用管式扩散，在石英管中进行扩散，如图3-32所示，采用POCl3液态源，高温反应产生的磷沉积在硅片表面后，表面与内部存在浓度梯度，磷原子在高温驱动下穿过晶格到达其平衡位置，在硅片片面形成n型层。 图3-32 硅片的磷扩散掺杂 （三） 周边刻蚀与去PSG (b) 图3-33 扩散后硅片周围形成的磷硅玻璃及刻蚀后硅片表面示意图 管式扩散分为单面和双面扩散，前者在扩散过程中对不需要形成pn结的电池背面做了一个保护，或者两片电池的背面叠在一起，然后表面涂磷源两片一组进行扩散，现阶段大多采用单层扩散方式。扩散过程中在硅片表面会形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃（PSG）。刚完成扩散的硅片，表面不仅覆盖了反应产物磷硅玻璃，而且硅片外层被磷污染形成n型区域，呈现一种短路状态，如图3-33(a)所示。即使是单面扩散，硅片边缘以及硅片背面部分地区也会受到磷缘污染而呈现n型，硅片上下表面短路。通常采用HF把上下表面的磷硅玻璃去除，然后用HF和HNO3的混合溶液刻蚀掉边缘pn结，使前表面与背表面的n型层隔断，刻蚀后的硅片如图3-33（b）所示，边缘一周大约有宽为1mm的区域为高阻区域，防止电池前后漏电。HF和HNO3混合溶液进行刻蚀的原理同多晶硅制绒是一样的，刻蚀时硅片置于刻蚀溶液液面上，扩散面朝上，利用溶液表面张力浸润硅片周边进行刻蚀。 扩散的好坏是决定太阳能电池最终转换效率高低的关键。工序2和3也可以看成一道工序，即pn结的形成。通过测量扩散后顶层的薄层电阻（方块电阻值）来确定是否形成适当的n型区，它是标志扩散到半导体中去的杂质总量的一个重要参数，也是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一，通过方块电阻可以近似推算磷扩散的平均深度。薄层电阻大约的数值在100Ω/□以内，目前的技术发展方向是向着高阻化发展，常用的单晶硅约75~90Ω/□，多晶硅约 70~85 Ω/□。周边刻蚀是否良好的判断标准有边缘方阻测量和边缘导电类型判别两种。边缘方块电阻如果上升4~5个数量级，或者导电类型为弱p型，则说明边缘刻蚀良好。 （四）镀减反射膜（钝化层） 太阳能电池最常用的减反射膜兼钝化膜是SiNx。最常用的镀膜方式是等离子增强的化学气相沉积（PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法。相对于其他制备技术，PECVD制备薄膜的沉积温度低，能耗较低，沉积速度较快，生产率高。而且氮化硅薄膜的质量好，薄膜均匀且缺陷密度低。更为重要的是，在PECVD过程中可以导入H2，实际上反应生成的是含有一定H原子的氮化硅膜（SiNx：H），这些H原子在后续的电极烧结等高温过程