逃逸电子磁场波纹共振.docVIP

逃逸电子磁场波纹共振实验总结报告 实验背景： 在2005年春季实验中我们观察到了硬X射线谱的反常现象。能谱在高能部分不是指数衰减，而是出现一个能量截至。 在排除了探测器响应不可能引起该现象后，我们发现该能量截至和逃逸电子与磁场波纹共振引起的能量很一致，因此我们提出了变化等离子体参数来确定该现象，并研究逃逸电子和磁场波纹共振的强度以及共振的谐波次数。 由于托卡马克装置的磁场有有限的线圈形成，磁场有一定的波纹，波纹随等离子体半径增大而增大，逃逸电子经历这个波纹会受到调制，调制频率为, n是磁场波纹的谐波次数，Nt是纵场线圈的个数，R是装置半径。逃逸电子由于相对论效应，其回旋频率下移（down-shift）为 , 当逃逸电子经历的磁场波纹调制频率和自身的回旋频率相近的时候，就会发生共振，共振条件为. 发生共振的时候，逃逸电子会发生pitch角散射，逃逸电子的垂直能量增加，而同步辐射功率和逃逸电子的pitch角的平方成正比， 从而阻止了逃逸电子能量的进一步增加。根据公式（5-23），我们得到逃逸电子由于和磁场波纹共振而形成的最大能量为.对应于HT-7上的典型参数，. 当逃逸电子由于环电压加速获得接近共振能量的时候，就由于波纹共振而不能达到更高的能量，从而形成能量极限，逃逸电子的能量就聚集在共振能量附近。发生n次谐波共振的条件主要取决于电场大小，波纹大小。HT-7上n＝1的谐波共振对应的逃逸电子能量为30MeV。 实验条件 由于逃逸电子波纹共振的共振能量可以根据等离子体参数计算出来，我们需要比较硬X射线上的截至能量和共振能量。这就需要探测器在高能段（0.5-10MeV）的响应好，探测器的标定需要达到0.5-5MeV。因此我们在2005年秋季实验中发展了测量高能硬X射线的BGO探测系统。 实验参数： 1、等离子体密度不变（0.5×1019m-3），电流扫描（60-80kA）。 2、 等离子体电流不变（50kA），密度扫描（0.4-0.6 ×1019m-3）。 实验结果分析 这里我们给出典型的电流扫描下的结果。当等离子体密度不变，电流增加将引起等离子体环电压的增加。因此我们可以观察在同的电场大小下的共振作用。 从这三炮电流扫描的连续放电可见，随着电流的升高，硬X射线对数谱变得更“硬”。 对于等离子体电流为60kA的放电＃76767，探测到的硬X射线的最大能量为3.8 MeV，这个能量极限和n＝8的谐波的共振能量Wripple＝3.75 MeV基本一致。 对于等离子体电流为70kA的放电＃76766，探测到的硬X射线的最大能量为6.2 MeV，这个能量极限和n＝5的谐波的共振能量Wripple＝6 MeV基本一致。 对于等离子体电流为80kA的放电＃76765，探测到的硬X射线的最大能量为7.3 MeV，这个能量极限和n＝4的谐波的共振能量Wripple＝7.5 MeV基本一致。 尽管等离子体密度固定，等离子体电流以10kA均匀变化，但是环电压的变化和电流的变化没有线性关系，＃76767，76766，76765的环电压依次为1.3V，1.4V，1.53V。发生谐波共振的阶数也变化明显，在很小的环电压变化下，1.3V-1.4V-1.53V，谐波阶数就从n＝8变化到n＝5，n＝4，而没有观察到n＝6，7的谐波共振。 由于各个不同谐波阶数的共振强度不同，共振作用对逃逸电子的散射强度也不一样，强的共振作用将引起强的散射。电场越高，共振作用就越强。共振作用在硬X射线对数谱上分析硬X射线的最大能量与计数发生突变的能量差可以得到相对的共振强度和散射强度。这个能量差越大，说明共振作用后逃逸电子的能量损失越大，即共振作用越强。由图5.7.7可见，＃76767在n＝8的谐波共振作用下能量差（Gap）最小，仅0.2MeV；＃76766在n＝5的谐波共振作用下能量Gap稍大，1MeV；＃76766在n＝4的谐波共振作用下能量Gap最大， 2.05MeV。 结论 HT-7上高能硬X射线能谱上的能量截至是由于逃逸电子和磁场波纹共振引起的，共振随着谐波次数的降低而增强。在高的环电压下，低阶共振作用可以起到限制逃逸电子能量的作用。利用该共振机制，我们可以采用外加的线圈，在等离子体破裂的时候增加磁场波纹大小，从而限制逃逸电子的能量，保护装置的第一壁材料。 发表文章：Rev. Sci. Instrum. 77（2006） 013502 Physics Letters A，351（2006）413-416 图5.7.7 等离子体密度固定，电流扫描下在0.67s-0.75s的对数计数谱。